Главная страница
Главная страница
Диссертационные советы
Текущая работа диссоветов
Архив
Справочная информация по вопросам научной аттестации
Ф.И.О. Евстигнеев Владимир Сергеевич
Диссертация Кандидатская диссертация на тему: Получение легированных мышьяком эпитаксиальных слоев CdxHg1–xTe (x~0.4) методом MOCVD и изучение их электрофизических свойств (5.88 Мб, загрузить)
Диссертационный совет Д 212.166.08
Научная специальность 02.00.01 - Неорганическая химия (химические науки)
Дата защиты 06.10.2020
Статус принята к защите
Автореферат Загрузить
Отзывы:
  1. Денисов Игорь Андреевич, к.т.н., заведующий лабораторией полупроводниковых соединений А2В6 АО "Гидромет" - отзыв
  2. Котков Анатолий Павлович, к.х.н., начальник научно-производственного отделения материалов электронной техники АО "НПП "Салют" - отзыв
  3. Кукушкин Сергей Арсеньевич, д.ф.-м.н., профессор, заведующий лабораторией структурных и фазовых превращений в конденсированных средах ИПМаш РАН, Заслуженный деятель науки РФ, Лауреат премии Президиума РАН им. П.А. Ребиндера и премии СПбНЦ РАН и Правительства СПб им. А.Ф. Иоффе - отзыв
  4. Михайлов Николай Николаевич, к.ф.-м.н., доц., старший научный сотрудник ФГБУН Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН; Якушев Максим Витальевич, д.ф.-м.н., доц., ведущий научный сотрудник,ФГБУН Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН - отзыв
Объявление на сайте ВАК https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100047988
Ведущая организация Акционерное общество «Научно-производственное объединение «Орион» (отзыв)

Адрес: Адрес: 111538, Россия, Москва, ул. Косинская, д.9.
e-mail: orion@orion-ir.ru
Телефоны:
+7 (499) 374-48-60
+7 (499) 374-48-88
http://www.orion-ir.ru/

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. Яковлева Н. И. Исследование темновых токов фотодиодов на основе гетероструктур КРТ //Прикладная физика. – 2019. – №. 5. – С. 27-36.
2. Яковлева Н. И., Болтарь К. О., Бурлаков И. Д., Никонов А. В., Давлетшин Р. В., Попов С. В. Многорядные фотоприемные модули на основе ГЭС HgCdTe для инфракрасных радиометров // Прикладная физика. – 2018. – №. 6. – С. 29-34.
3. Никонов А. В., Яковлева Н. И. Исследование спектров отражения многослойных гетероэпитаксиальных структур на основе КРТ // Прикладная физика. – 2018. – №. 1. – С. 42-46.
4. Яковлева Н. И., Болтарь К. О., Никонов А. В., Егоров А. В. Многорядные фотоприемные устройства на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe коротковолнового ИК-диапазона спектра // Успехи прикладной физики. – 2017. – Т. 5. – №. 3. – С. 265.
5. Никонов А. В., Яковлева Н. И. Анализ многослойных гетероэпитаксиальных структур на основе CdHgTe по спектрам ИК-пропускания // Прикладная физика. – 2017. – №. 5. – С. 64-70.
6. Яковлева Н. И., Болтарь К. О., Никонов А. В. Температурное разрешение тепловизионных систем с использованием фотоприемных устройств на основе CdHgTe //Прикладная физика. – 2017. – №. 3. – С. 58-64.
7. Болтарь К. О., Бурлаков И. Д., Власов П. В., Лопухин А. А., Чалый В. П., Кацавец Н. И. Матричные фотоприемные устройства длинноволнового ИК-диапазона на основе кванторазмерной структуры AlGaAs/GaAs формата 384´ 288 // Прикладная физика. – 2016. – №. 6. – С. 37-41.
8. Бурлаков И. Д., Болтарь К. О., Власов П. В., Лопухин А. А., Торопов А. И., Журавлев К. С., Фадеев В. В. Фотоэлектрические характеристики МФПУ на основе эпитаксиальных слоев антимонида индия на высоколегированной подложке // Прикладная физика. – 2016. – №. 3. – С. 58-64.
9. Кашуба А. С., Пермикина Е. В. Исследование эпитаксиальных гетероструктур CdхHg1-хТе методами травления // Успехи прикладной физики. – 2016. – Т. 4. – №. 6. – С. 613.
10. Яковлева Н. И., Никонов А. В. Особенности спектральных зависимостей поглощения в структурах А3В5 и А2В6 // Успехи прикладной физики. – 2016. – Т. 4. – №. 4. – С. 394-402.
11. Пряникова Е. В., Мирофянченко А. Е., Смирнова Н. А., Силина А. А., Бурлаков И. Д., Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Шматов Н. И. Структурные свойства подложек кадмий-цинк-теллур для выращивания твердых растворов кадмий-ртуть-теллур // Прикладная физика. – 2016. – №. 2. – С. 82-87.
12. Пермикина Е. В., Кашуба А. С. Характеристики пассивирующего покрытия CdTe, нанесенного на эпитаксиальный слой HgCdTe // Успехи прикладной физики. – 2016. – Т. 4. – №. 5. – С. 493-499.
13. Яковлева Н. И. Процессы рекомбинации и анализ времени жизни в узкозонных полупроводниковых структурах CdHgTe // Успехи прикладной физики. – 2015. – Т. 3. – №. 2. – С. 169-179.

Организации, где выполнялась диссертация Институт химии высокочистых веществ им. Г. Г. Девятых Российской академии наук
Место работы Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г. Г. Девятых Российской академии наук, лаборатория летучих соединений металлов
Научный руководитель Моисеев Александр Николаевич, д.х.н., заведующий лабораторией летучих соединений металлов ИХВВ РАН (отзыв)
Оппоненты
  1. Зломанов Владимир Павлович, д.х.н., проф., профессор кафедры неорганической химии химического факультета ФГБОУ ВО «Московский Государственный Университет имени М.В. Ломоносова»

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    02.00.01 – неорганическая химия

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Tutov E.A., Goloshchapov D.L., Zlomanov V.P. Semiconductor–Metal Phase Transition and “Tristable” Electrical Switching in Nanocrystalline Vanadium Oxide Films on Silicon // Technical Physics Letters. – 2019. – V. 45, №. 6. – P. 584-587.
    2. Bychkova L.P., Gulayev R.G., Dzagania M.A., Zlomanov V.P., Pashaev A.M., Davarashvili O.I., Enukashvili M.I., Akhvlediani Z.G. High deformations in lead selenide nanolayers and related new properties // European Chemical Bulletin. – 2019. – V. 8, №. 2. – P. 57-62.
    3. Imamaliyeva S.Z., Gasanly T.M., Zlomanov V.P., Babanly M.B. Phase equilibria in the Tl5Te3–Tl9BiTe6–Tl9TbTe6 system // Inorganic Materials. – 2017. – V. 53, №. 7. – P. 685-689.
    4. Sadygov F.M., Il’yasly T.M., Ganbarova G.T., Zlomanov V.P., Aliev I.I. A physicochemical study of the Sb2Se3–Nd2Se3 system // Inorganic Materials. – 2017. – V. 53, №. 7. – P. 665-669.
    5. Tutov E.A., Manannikov A.V., Al-Khafaji H.I., Zlomanov V.P. Surface and bulk conductivity of vanadium dioxide // Technical Physics. – 2017. – V. 62, №. 3. – P. 390-394.
    6. Imamalieva S.Z., Mashadieva L.F., Zlomanov V.P., Babanly M.B. Phase equilibria in the Tl2Te-YbTe-Te system // Inorganic Materials. – 2015. – V. 51, №. 12. – P. 1237-1242.
    7. Tyurin A.V., Nenashev R.N., Gavrichev K.S., Zlomanov V.P. Thermodynamic functions of vanadyl acetylacetonate VO(C5H7O2)2 at 0-350 K // Russian Journal of Physical Chemistry A. – 2015. – V. 89, №. 10. – P. 1711-1714.
    8. Nenashev R.N., Mordvinova N.E., Zlomanov V.P., Kuznetsov V.L. Thermal decomposition of vanadyl acetylacetonate // Inorganic Materials. – 2015. – V. 51, №. 9. – P. 891-896.
    9. Bakhtiyarly I.B., Asadullaeva S.G., Tagiev K.O., Zlomanov V.P. (BaSiO3)0.75(Er2O3)0.25-(BaSiO3)0.75(ErF3)0.25 join in the ErOF-ErF3-BaSiO3 system // Inorganic Materials. – 2015. – V. 51, №. 5. – P. 482-485.
    10. Berezina O., Kirienko D., Pergament A., Stefanovich G., Velichko A., Zlomanov V. Vanadium oxide thin films and fibers obtained by acetylacetonate sol-gel method // Thin Solid Films. – 2015. – V. 574. – P. 15-19.

  2. Дворецкий Сергей Алексеевич, к.ф.-м.н., ведущий научный сотрудник, руководитель отдела № 006 «Инфракрасные оптоэлектронные устройства на основе КРТ» ФГБУН «Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН» (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.07 – физика конденсированного состояния

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S. N., Dzyadukh S. M., Dvoretsky S. A., Mikhailov N. N., Sidorov G. Y., Yakushev M. V. Electrical properties of nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates // Infrared Physics & Technology. – 2019. – V. 102. – P. 103035.
    2. Shvets V. A., Mikhailov N. N., Ikusov D. G., Uzhakov I. N., Dvoretskii S. A. Determining the Compositional Profile of HgTe/CdxHg1–xTe Quantum Wells by Single-Wavelength Ellipsometry // Optics and Spectroscopy. – 2019. – V. 127. – № 2. – P. 318-324.
    3. Voitsekhovskii A. V., Grigoryev D. V., Korotaev A. G., Kokhanenko A. P., Lozovoy K. A., Izhnin I.I., Savytskyy H. V., Bonchyk O. Yu., Dvorecky S. A., Mikhailov N. N., Varavin V. S., Yakushev M.V. Influence of composition of Hg1-xCdxTe (x=0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation // Mater. Res. Express. – 2019. – V. 6. – № 7. – P. 075912-1-075912-8.
    4. Izhnin I. I., Mynbaev K. D., Voitsekhovsky A. V., Korotaev A. G., Syvorotka I. I., Fitsych O. I., Varavin V. S., Dvoretsky S. A., Mikhailov N. N., Remesnik V. G., Yakushev M. V., Swiatek Z., Morgiel J., Bonchyk O. Yu., Savytskyy H. V. Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis // Infrared Phys. Technol. – 2019. – V. 98. – P. 230-235.
    5. Bonchik A. Y., Savytskyy H. V., Swiatek Z, Morgiel Y., Izhnin I. I., Voitsekhovskii A. V., Korotaev A. G., Mynbaev K. D., Fitsych O. I., Varavin V. S., Dvoretsky S. A., Marin D. V., Yakushev M. V. Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study // Applied Nanoscience. – 2019. – V. 9. – №. 5. – P. 725-730.
    6. Izhnin I. I., Syvorotka I. I., Fitsych O. I., Varavin V. S., Dvoretsky S. A., Marin D. V., Mikhailov N. N., Remesnik V. G., Yakushev M. V., Mynbaev K. D., Voitsekhovskii A. V., Korotaev A. G. Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis // Semicond. Sci Technol. – 2019. – V. 34. – № 3. – P. 035009-1-035009-7.
    7. Izhnin I. I., Fitsych O. I., Swiatek Z, Morgiel Y., Bonchyk O. Yu., Savytskyy H. V., Mynbaev K. D., Voitsekhovskii A. V., Korotaev A. G., Yakushev M. V., Marin D. V., Varavin V. S., Dvoretsky S. A. Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercurycadmium telluride // Opto-electron. Rev. – 2019. – V. 27. – № 1. – P. 14-17.
    8. Gudina S. V., Neverov V. N., Ilchenko E. V., Bogoliubskii A. S., Harus G. I., Sheliushinina N. G., Podgornykh S. M., Iakunin M. V., Mikhailov N. N., Dvorecky S. A. Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells // Semiconductors. – 2018. – V. 52. – № 1. – P. 12-18.
    9. Izhnin I. I., Fitsych E. I., Voitsekhovskii A. V., Korotaev A. G., Mynbaev K. D., Varavin V. S., Dvoretsky S. A., Mikhailov N. N., Yakushev M. V., Bonchyk A. Yu., Savytskyy H. V., Świątek Z. Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films // Russian Physics Journal. – 2018. – V. 60. – № 10. – P. 1752-1757.
    10 Izhnin I. I., Voitsekhovsky A. V., Korotaev A. G., Fitsych O. I., Bonchyk A. Y., Savytskyy H. V., Mynbaev K. D., Varavin V. S., Dvoretsky S. A., Mikhailov N. N., Yakushev M. V., Jakiela R. Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates // Infrared Physics & Technology. – 2017. – V. 81. – P. 52-58.
    11. Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S. N., Dzyadukh S. M., Varavin V. S., Dvoretsky S. A., Mikhailov N. N., Yakushev M. V., Sidorov G. Yu. Electrical characterizations of MIS structures based on variable-gap n(p)-HgCdTe grown by MBE on Si(013) substrates // Infrared Physics and Technology. – 2017. – V. 87. – P. 129-133.
    12. Bazovkin V. M., Dvoretsky S. A., Guzev A. A., Kovchavtsev A. P., Marin D. V., Polovinkin V. G., Sabinina I. V., Sidorov G. Yu., Tsarenko A. V., Vasil’ev V. V., Varavin V. S., Yakushev M. V. High operating temperature SWIR p+-n FPA based on MBE-grown HgCdTe/Si (013) // Infrared Physics & Technology. – 2016. – V. 76. – P. 72-74.
    13. Yakushev M. V., Mynbaev K. D., Bazhenov N. L., Varavin V. S., Mikhailov N. N., Marin D. V., Dvoretsky S. A., Sidorov Yu. G. Acceptor states in HgCdTe films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs and Si substrates // Physica Status Solidi (c). – 2016. – V. 13. – №. 7-9. – P. 469-472.
    14. Bazovkin M, Dvoretskiy S. A., Guzev A. A., Kovchavtsev A. P., Marin D. V.,. Panova Z. V, Sabinina I. V., Sidorov Yu. G., Sidorov G. Yu., Tsarenko A. V., Varavin V. S., Vasiliev V. V., Yakushev M. V. HgCdTe p+-n structures grown by MBE on Si (013) substrates for high operating temperature SWIR detectors // Physica Status Solidi (c). – 2016. – V. 13. – №. 7-9. – P. 651-655.
    15. Teppe F., Marcinkiewicz M., Krishtopenko S. S., Ruffenach S., Consejo C., Kadykov A. M., Desrat W., But D., Knap W., Ludwig J.,. Moon S., Smirnov D., Orlita M., Jiang Z., Morozov S. V., Gavrilenko V. I., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A. Temperature-driven massless Kane fermions in HgCdTe crystals // Nature Communications. – 2016. – V. 7. – №. 1. – P. 1-6.

История

29.01.2020 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

10.03.2020 - Диссертация принята к защите (протокол № 6)

принята к защите