| Ф.И.О. | Оболенская Елизавета Сергеевна |
|---|---|
| Диссертация | Кандидатская диссертация на тему: Исследование квазибаллистического транспорта электронов в терагерцовых диодах на основе GaAs/AlAs сверхрешеток |
| Диссертационный совет | 24.2.340.01 |
| Научная специальность | 2.2.2. - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств (физико-математические науки) |
| Дата защиты | 23.12.2020 |
| Статус | Присвоена степень кандидата наук |