Главная страница
Главная страница
Диссертационные советы
Текущая работа диссоветов
Архив
Справочная информация по вопросам научной аттестации
Ф.И.О. Оболенская Елизавета Сергеевна
Диссертация Кандидатская диссертация на тему: Исследование квазибаллистического транспорта электронов в терагерцовых диодах на основе GaAs/AlAs сверхрешеток (6.73 Мб, загрузить)
Диссертационный совет Д 212.166.01
Научная специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (физико-математические науки)
Дата защиты 23.12.2020
Статус принята к защите
Автореферат Загрузить
Объявление на сайте ВАК https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100052907
Ведущая организация Акционерное общество «Ангстрем», АО «Ангстрем»

Адрес: 124460, г. Москва, Зеленоград,
Площадь Шокина, дом 2, строение 3
Телефон: +7 (499) 720-84-44
E-mail: general@angstrem.ru
https://www.angstrem.ru/ru

Организации, где выполнялась диссертация ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Место работы ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Научный руководитель Павельев Дмитрий Геннадьевич, кандидат технических наук, доцент кафедры квантовой радиофизики и электроники радиофизического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского (отзыв)
Оппоненты
  1. Бутин Валентин Иванович, доктор технических наук, старший научный сотрудник, начальник научно-исследовательского отделения – начальник научно-исследовательского отдела федерального государственного унитарного предприятия «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики имени Н.Л. Духова»

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    20.02.14 - Вооружение и военная техника. Комплексы и системы специального назначения (технические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Бутин В.И., Кундышев П.Я., Руденко Ю.А., Абакумов Е.М. Численное моделирование эффективности экранирования на основе аккумулированной энергии СВЧ-излучения внутри экранированного объема РЭА // Технологии электромагнитной совместимости. 2019, № 3(70), с 21-29.
    2. Бутин В.И., Кундышев П.Я., Руденко Ю.А. Способ вычисления суммарной энергии поля СВЧ, образующейся в экранирующем корпусе, c использованием численных методов моделирования // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. 2019. Т. 2. № 2. С. 180-191.
    3. Бутин В.И., Чубруков Ф.В. Методы учета влияния температуры окружающей среды на дрейф информативного параметра p-МОП-дозиметра // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2016. № 3. С. 20-22.
    4. Бутин В.И., Кундышев П.Я. Исследование экранирующих свойств корпусов РЭА и наведенных токов в типовых проводных соединениях при воздействии СВЧ излучений // Технологии электромагнитной совместимости, 2018, № 1 (64), с. 32-43.
    5. Бутин В.И., Чубруков Ф.В. Диагностирование запаса стойкости КМОП-микросхем в условиях воздействия ионизирующего излучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2018. № 2. С. 16-19.
    6. Бутин В.И., Чубруков Ф.В. Расчетно-экспериментальная методика прогнозирования величины поглощенной дозы, приводящей к отказу КМОП микросхем в составе электронной аппаратуры, основанная на оценке уровня бессбойной работы // Технологии электромагнитной совместимости. 2018. № 3 (66). С. 14-19.
    7. Bakerenkov A.S., Rodin A.S., Felitsyn V.A., Pershenkov V.S., Butin V.I. Estimation of the Radiation Hardness of Bipolar Voltage Comparators in Wide Operation Temperature Range // 2017 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS 2017), Space to Ground and Below, 2019, p. 8696190.
    8. Butin V., Kundyshev P. Estimation of energy penetration through the electronics housing under external microwave radiation in the resonance mode of shielding // 2017 International Multi-Conference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON), 2017, p. 427-432.
    9. Butin V., Butina A. Bipolar transistor application for «on-line» neutron fluence registration // 2017 International Multi-Conference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON), 2017, p. 251-253.

  2. Харитонов Игорь Анатольевич, кандидат технических наук, доцент, профессор Московского института электроники и математики имени А.Н. Тихонова Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики»

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (технические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Petrosyants K.O., Popov D.A., Sambursky L.M., Kharitonov I.A. TCAD leakage current analysis of a 45 nm MOSFET structure with a high-k dielectric //Russian Microelectronics, 2016, т. 45, № 7, с. 460-463.
    2. Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kharitonov I.A., Ismail-Zade M.R., Lebedev S.V., Stakhin V.G., Ignatov P.V. High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C //Annual IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium, "33rd Annual Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium, SEMI-THERM 2017 - Proceedings", 2017, pp. 229-234.
    3. Petrosyants K.O., Kharitonov I.A. SPICE SIMULATION OF TOTAL DOSE AND AGING EFFECTS IN MOSFET CIRCUITS // Proceedings of 2018 IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS 2018, electronic publication, 2018, p. 8524852.
    4. Александрова А.Б., Харитонов И.А. Исследование влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов // Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016, т. 21, № 3, с. 286-288.
    5. Харитонов И.А. SPICE моделирование КМОП ИС для экстремальных применений с помощью компактных «электро-термо-рад» моделей // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС), 2018, № 3, с. 103-110.
    6. Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В. Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации // Измерительная техника, 2016, № 10, с. 55-60.
    7. Петросянц К.О., Козынко П.А., Рябов Н.И., Харитонов И.А. Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР // В сб.: Микроэлектроника-2015. Интегральные схемы и микроэлектронные модули: проектирование, производство и применение (сборник докладов Международной конференции), 2016, с. 439-448.
    8. Харитонов И.А. Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов // Труды научно-исследовательского института системных исследований Российской академии наук, 2017, т. 7, № 2, с. 78-87.
    9. Харитонов И.А., Четвериков И.А., Кузин Е.Ю., Исмаил-Заде М.Р. Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C) //Труды научно-исследовательского института системных исследований Российской академии наук, 2017, т. 7, № 2, с. 41-45.
    10. Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kharitonov I.A., Lvov B.G. Fault simulation in radiation-hardened SOI CMOS VLSIs using universal compact MOSFET model // 2016 17th Latin-American Test Symposium (LATS), 2016, pp. 117-122.

История

14.10.2020 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

21.10.2020 - Диссертация принята к защите (протокол № 6)

Для участия в заседании диссовета по вопросам присуждения ученых степеней Вам необходимо подать заявление на e-mail диссовета, размещенного на сайте diss.unn.ru. Подробная информация о процедурах подачи заявки и доступа к заседанию совета в удаленном интерактивном режиме содержится в разделе «Об особенностях организации работы диссертационных советов в удаленном интерактивном режиме».принята к защите