Главная страница
Главная страница
Диссертационные советы
Текущая работа диссоветов
Архив
Справочная информация по вопросам научной аттестации
Ф.И.О. Применко Александра Викторовна
Диссертация Кандидатская диссертация на тему: Комбинированная модель реакции мощного вертикального ДМОП-транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения (4.42 Мб, загрузить)
Диссертационный совет 24.2.340.01
Научная специальность 2.2.2. - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств (физико-математические науки)
Дата защиты 23.12.2020
Статус Присвоена степень кандидата наук
Автореферат Загрузить
Отзывы:
  1. Алешкин Владимир Яковлевич, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник отдела физики полупроводников Института физики микроструктур РАН - отзыв
  2. Белова Юлия Васильевна, кандидат технических наук, начальник отдела АО "НПП "Салют" - отзыв
  3. Березин Виталий Витальевич, кандидат технических наук, инженер 1 категории, Акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники" - отзыв
  4. Зайцев Алексей Александрович, кандидат технических наук, старший научный сотрудник кафедры квантовой физики и наноэлектроники Национального исследовательского университета "Московский институт электронной техники" - отзыв
  5. Израилев Борис Исаакович, доктор технических наук, старший научный сотрудник, Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина" - отзыв
  6. Лукичев Алексей Николаевич, кандидат физико-математических наук, начальник научно-исследовательской группы спецстойкости, филиал Федерального государственного унитарного предприятия "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" - отзыв
  7. Усачев Николай Александрович, кандидат технических наук, руководитель дизайн-центра ЭКБ ЦЭПЭ Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ" - отзыв
Объявление на сайте ВАК https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100052909
Ведущая организация Акционерное общество «Ангстрем», АО «Ангстрем» (отзыв)

Адрес: 124460, г. Москва, Зеленоград,
Площадь Шокина, дом 2, строение 3
Телефон: +7 (499) 720-84-44
E-mail: general@angstrem.ru
https://www.angstrem.ru/ru

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. Novak A.V., Dedkova A.A., Gusev E.E., Novak V.R. Dependence of mechanical stresses in silicon nitride films on the mode of plasma-enhanced chemical vapour deposition // Semiconductors, v.51, №15, 2018, pp.1953-1957
2. Novak A.V., Smirnov D.I., Novak V.R. Evolution of surface morphology during the growth of amorphous and polycrystalline silicon films // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, v.11, №5, 2017, pp.1014-1021
3. Соловьев А.В., Крупкина Т.Ю, Романов А.А. Повышение пробивного напряжения n-МОП-транзисторов для радиационно стойких КНС КМОП БИС // Известия высших учебных заведений. Электроника, т.21, №6, 2016, с.583-585
4. Егоров Н.Н., Голубков С.А., Федотов С.Д., Стаценко В.Н., Романов А.А., Метлов В.А. Изучение подвижности электронов и ВАХ полевых транзисторов в зависимости от структурных и электрофизических характеристик ультратонкого кремния на сапфире // Наноиндустрия, №S(89), 2019, c.586-590
5. Машевич П.Р., Кокин С.А., Перминов В.Н. Проблемы информационно-коммуникационного взаимодействия при проектировании радиационного-стойких изделий от элементной базы до конечных устройств на примере использования отечественной САПР // Наноиндустрия, № S (82), 2018, с.399-401
6. Соловьев А.В., Крупкина Т.Ю, Лагун А.М. Использование системы TCAD для разработки маршрута изготовления комплементарных биполярных транзисторов в составе ОУ// Известия высших учебных заведений. Электроника, т.22, №5, 2017, с.440-446
7. Новак А.В., Новак В.Р. Исследование процесса электрохимического стоп-травления кремния при изготовлении кантилеверов // Известия высших учебных заведений. Электроника, т.25, №1, 2020, с.31-39
8. Егоров Н.Н., Голубков С.А., Федотов С.Д., Стаценко В.Н., Романов А.А., Метлов В.А. Влияние твердофазной рекристаллизации с двойной имплантацией на плотность структурных дефектов в ультратонких слоях кремния на сапфире// Наноиндустрия, № S96-1, 2020, с. 154-159
9. Сопова О.В., Крицкая Т.Б. Разработка топологии охранных колец мощных кремниевых диодов с блокирующим напряжением до 6.7 кВ // Известия высших учебных заведений. Электроника, т.23, №3, 2018, с.260-267
10. Новак А.В., Новак В.Р. Оценка влияния размеров зонда на параметры морфологии поверхности пленок кремния с полусферическими зернами, получаемые методом атомно-силовой микроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №9, 2016, с.70-80
11. Дюжев Н.А., Дедкова А.А., Гусев Е.Э., Новак А.В. Методика измерения механических напряжений в тонких пленках на пластине с помощью оптического профилометра // Известия высших учебных заведений. Электроника, т.21, №4, 2016, с.367-372
12. Ерошкин А.Л. Методы обеспечения гарантированного качества микросхем // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, т.17, №5, 2017, с.1217-1219
13. Уруджев Д.Г., Васильченко С.Н., Мосунов А.А., Кудрявцев А.В., Яковлев С.Ю., Майоров А.С., Белин А.М., Усов П.П., Володин Е.Б., Ермолов А.В. Высокоскоростной радиационно-стойкий датчик изображения // В сборнике: Информатика и технологии. Инновационные технологии в промышленности и информатике (сборник научных трудов международной научно-технической конференции. Московский технологический университет, Физико-технологический институт), 2016, c.118-119
14. Ерошкин А.Л., Попо Р.А. Способы обеспечения гарантированной надежности и радиационной стойкости микросхем // В сб.: Актуальные проблемы и перспективы развития радиотехнических инфокоммуникационных систем (сборник научных трудов III Международной научно-практической конференции, МИРЭА), 2017, с.232-238

Организации, где выполнялась диссертация ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Место работы РФЯЦ-ВНИИТФ им. академ. Е.И. Забабахина
Научный руководитель Оболенский Сергей Владимирович, доктор технических наук, профессор, директор НИРФИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского (отзыв)
Оппоненты
  1. Бутин Валентин Иванович, доктор технических наук, старший научный сотрудник, начальник научно-исследовательского отделения – начальник научно-исследовательского отдела федерального государственного унитарного предприятия «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики имени Н.Л. Духова» (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    20.02.14 - Вооружение и военная техника. Комплексы и системы специального назначения (технические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Бутин В.И., Кундышев П.Я., Руденко Ю.А., Абакумов Е.М. Численное моделирование эффективности экранирования на основе аккумулированной энергии СВЧ-излучения внутри экранированного объема РЭА // Технологии электромагнитной совместимости. 2019, № 3(70), с 21-29.
    2. Бутин В.И., Кундышев П.Я., Руденко Ю.А. Способ вычисления суммарной энергии поля СВЧ, образующейся в экранирующем корпусе, c использованием численных методов моделирования // Инфокоммуникационные и радиоэлектронные технологии. 2019. Т. 2. № 2. С. 180-191.
    3. Бутин В.И., Чубруков Ф.В. Методы учета влияния температуры окружающей среды на дрейф информативного параметра p-МОП-дозиметра // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2016. № 3. С. 20-22.
    4. Бутин В.И., Кундышев П.Я. Исследование экранирующих свойств корпусов РЭА и наведенных токов в типовых проводных соединениях при воздействии СВЧ излучений // Технологии электромагнитной совместимости, 2018, № 1 (64), с. 32-43.
    5. Бутин В.И., Чубруков Ф.В. Диагностирование запаса стойкости КМОП-микросхем в условиях воздействия ионизирующего излучения // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2018. № 2. С. 16-19.
    6. Бутин В.И., Чубруков Ф.В. Расчетно-экспериментальная методика прогнозирования величины поглощенной дозы, приводящей к отказу КМОП микросхем в составе электронной аппаратуры, основанная на оценке уровня бессбойной работы // Технологии электромагнитной совместимости. 2018. № 3 (66). С. 14-19.
    7. Bakerenkov A.S., Rodin A.S., Felitsyn V.A., Pershenkov V.S., Butin V.I. Estimation of the Radiation Hardness of Bipolar Voltage Comparators in Wide Operation Temperature Range // 2017 17th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS 2017), Space to Ground and Below, 2019, p. 8696190.
    8. Butin V., Kundyshev P. Estimation of energy penetration through the electronics housing under external microwave radiation in the resonance mode of shielding // 2017 International Multi-Conference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON), 2017, p. 427-432.
    9. Butin V., Butina A. Bipolar transistor application for «on-line» neutron fluence registration // 2017 International Multi-Conference on Engineering, Computer and Information Sciences (SIBIRCON), 2017, p. 251-253.

  2. Харитонов Игорь Анатольевич, кандидат технических наук, доцент, профессор Московского института электроники и математики имени А.Н. Тихонова Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики» (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (технические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Petrosyants K.O., Popov D.A., Sambursky L.M., Kharitonov I.A. TCAD leakage current analysis of a 45 nm MOSFET structure with a high-k dielectric //Russian Microelectronics, 2016, т. 45, № 7, с. 460-463.
    2. Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kharitonov I.A., Ismail-Zade M.R., Lebedev S.V., Stakhin V.G., Ignatov P.V. High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C //Annual IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium, "33rd Annual Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium, SEMI-THERM 2017 - Proceedings", 2017, pp. 229-234.
    3. Petrosyants K.O., Kharitonov I.A. SPICE SIMULATION OF TOTAL DOSE AND AGING EFFECTS IN MOSFET CIRCUITS // Proceedings of 2018 IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS 2018, electronic publication, 2018, p. 8524852.
    4. Александрова А.Б., Харитонов И.А. Исследование влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов // Известия высших учебных заведений. Электроника, 2016, т. 21, № 3, с. 286-288.
    5. Харитонов И.А. SPICE моделирование КМОП ИС для экстремальных применений с помощью компактных «электро-термо-рад» моделей // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС), 2018, № 3, с. 103-110.
    6. Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В. Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации // Измерительная техника, 2016, № 10, с. 55-60.
    7. Петросянц К.О., Козынко П.А., Рябов Н.И., Харитонов И.А. Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР // В сб.: Микроэлектроника-2015. Интегральные схемы и микроэлектронные модули: проектирование, производство и применение (сборник докладов Международной конференции), 2016, с. 439-448.
    8. Харитонов И.А. Подсистема схемотехнического проектирования КМОП БИС с учётом совместного влияния радиационных и тепловых эффектов // Труды научно-исследовательского института системных исследований Российской академии наук, 2017, т. 7, № 2, с. 78-87.
    9. Харитонов И.А., Четвериков И.А., Кузин Е.Ю., Исмаил-Заде М.Р. Определение параметров SPICE-моделей МОПТ при низких температурах (до минус 200°C) //Труды научно-исследовательского института системных исследований Российской академии наук, 2017, т. 7, № 2, с. 41-45.
    10. Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kharitonov I.A., Lvov B.G. Fault simulation in radiation-hardened SOI CMOS VLSIs using universal compact MOSFET model // 2016 17th Latin-American Test Symposium (LATS), 2016, pp. 117-122.

Заседание диссовета при защите диссертации

Протокол заседания диссовета: 8, 23.12.2020

Члены диссертационного совета, присутствовавшие на заседании при защите диссертации:

Чупрунов Е.В., Машин А.И., Марычев М.О., Бурдов В.А., Воротынцев В.М. (в удаленном интерактивном режиме), Гавриленко В.И. (в удаленном интерактивном режиме), Демидов Е.С. (в удаленном интерактивном режиме), Дорохин М.В., Нохрин А.В., Оболенский С.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Чувильдеев В.Н., Шенгуров В.Г., Якимов А.В. (в удаленном интерактивном режиме).

Заключение диссовета

История

14.10.2020 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

21.10.2020 - Диссертация принята к защите (протокол № 5)

31.12.2020 - Решение диссертационного совета по результатам защиты диссертации: присудить учёную степень кандидата наук, протокол: 8, 23.12.2020

Присвоена степень кандидата наук