Главная страница
Главная страница
Диссертационные советы
Текущая работа диссоветов
Архив
Справочная информация по вопросам научной аттестации
Ф.И.О. Кудрин Алексей Владимирович
Диссертация Докторская диссертация на тему: Ферромагнитные полупроводниковые структуры на основе слоев AIIIBV, легированных атомами Mn и Fe (33.48 Мб, загрузить)
Диссертационный совет 24.2.340.01
Научная специальность 1.3.11. - Физика полупроводников (физико-математические науки)
Дата защиты 08.06.2022
Статус Присвоена степень доктора наук
Автореферат Загрузить
Отзывы:
  1. Боргардт Николай Иванович, доктор физико-математических наук, профессор, директор Института физики и прикладной математики Национального исследовательского университета МИЭТ; Кукин Владимир Николаевич, доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник, ведущий научный сотрудник научно-исследовательской лаборатории электронной микроскопии Национального исследовательского университета МИЭТ - отзыв
  2. Воротынцев Илья Владимирович, доктор технических наук, профессор, исполняющий обязанности ректора Российского химико-технологического университета имени Д.И. Менделеева - отзыв
  3. Кулаковский Владимир Дмитриевич, член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук, профессор, главный научный сотрудник лаборатории неравновесных электронных процессов Института физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН - отзыв
  4. Ладугин Максим Анатольевич, доктор физико-математических наук, заместитель начальника Научно-производственного комплекса "Разработка и производство изделий квантовой наноэлектроники" Акционерного общества "Научно-исследовательский институт "Полюс" имени М.Ф. Стельмаха" - отзыв
  5. Маренкин Сергей Федорович, доктор химических наук, профессор, главный научный сотрудник лаборатории полупроводниковых и диэлектрических материалов Института общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН - отзыв
  6. Неверов Владимир Николаевич, доктор физико-математических наук, профессор РАН, ведущий научный сотрудник лаборатории полупроводников и полуметаллов Института физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук - отзыв
  7. Тагиров Ленар Рафгатович, доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник Казанского физико-технического института имени Е.К. Завойского - обособленного структурного подразделения Федерального государственного бюджетного учреждения науки "Федеральный исследовательский центр "Казанский научный центр Российской академии наук" - отзыв
Объявление на сайте ВАК https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100063916
Ведущая организация федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») (отзыв)

Адрес: 197022, Северо-Западный федеральный округ, субъект Российской Федерации: Санкт-Петербург, город Санкт-Петербург, улица Профессора Попова, дом 5, литера Ф
Телефон: +7(812) 234-46-51
Факс: +7(812) 346-27-58
Адрес электронной почты: info@etu.ru
Адрес в сети Интернет: https://etu.ru

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. V.I. Zubkov, I.V. Ivanova, M. Weyers. Direct observation of resonant tunneling in heterostructure with a single quantum well // Applied Physics Letters. – 2021.– Vol. 119, I. 4. – P. 043503.
2. Комков, О.С. Инфракрасное фотоотражение полупроводниковых материалов A3B5 (Обзор) / О.С. Комков // Физика твердого тела. – 2021. – Т.63, Вып. 8. – С. 991.
3. G. Yakovlev, V. Zubkov. Integration of electrochemical capacitance–voltage characteristics: a new procedure for obtaining free charge carrier depth distribution profiles with high resolution // Journal of Solid State Electrochemistry, 2021. Vol. 25, p. 797-802.
4. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. Барьер Шоттки на контакте магнитного 3d-металла с полупроводником / Письма в журнал технической физики. – 2021. – Т.47, Вып. 11. – С. 37.
5. М.О. Петрушков, Д.С. Абрамкин, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, А.В. Васев, И.Д. Лошкарев, М.Ю. Есин, О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, В.В. Преображенский. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Физика и техника полупроводников. – 2020. – Т.54, Вып. 12. – С. 1289.
6. A. Solomnikova, V. Lukashkin, V. Zubkov, A. Kuznetsov, A. Solomonov. Carrier concentration variety over multisectoral boron-doped HPHT diamond. Semiconductor Science and Technology. 2020, Vol. 35, N 9, p. 095005.
7. V. Zubkov A. Solomnikova, A. Koliadin, J.E.Butler. Analysis of doping anisotropy in multisectorial boron-doped HPHT diamonds. Materials Today Communications, 2020, v. 24 - p. 100995 (1-6).
8. S.V. Ivanov, M.Y. Chernov, V.A. Solov'ev, P.N. Brunkov, D.D. Firsov, O.S. Komkov. Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures grown on GaAs for efficient mid-IR emitters // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. – 2019.– Vol. 65, I. 1. – P. 20.
9. В.А. Соловьев, М.Ю. Чернов, О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, А.А. Ситникова, С.В. Иванов. Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs // Письма в ЖЭТФ. – 2019. – Т.109, Вып. 6. – С. 381.
10. D.D. Firsov, O.S. Komkov, V.A. Solov’ev, A.N. Semenov, S.V. Ivanov. Infrared photoreflectance of InSb-based two-dimensional nanostructures // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. – 2019.– Vol. 36, I. 4. – P. 910.
11. С.М. Дунаевский, Е.Ю. Лобанова, Е.К. Михайленко, И.И. Пронин. Магнитная анизотропия тонких пленок железа, покрытых графеном // Физика твердого тела. – 2019. – Т.61, Вып. 7. – С. 1368.
12. C.L. Ordóñez-Romero, Z. Lazcano-Ortiz, G. Pirruccio, A. Drozdovskii, B. Kalinikos, M. Urbanek, M.O. Vigueras-Zúñiga, D. Matatagui Cruz, N. Qureshi, O. Kolokoltsev, G. Monsivais. Pulsed spin wave propagation in a magnonic crystal // Journal of Applied Physics. – 2019.– Vol. 126, I. 8. – P. 083902
13. P. Kharitonskii, A. Kamzin, K. Gareev, A. Valiullin, O. Vezo, E. Sergienko, D. Korolev, A Kosterov, S. Lebedev, A. Gurylev, A. Reinyuk. Magnetic granulometry and Mössbauer spectroscopy of FemOn–SiO2 colloidal nanoparticles // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. – 2018.– Vol. 461. – P. 30.
14. A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.S. Bukatin, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, V.I. Zubkov, G.E. Yakovlev, J.-P. Kleider. Study of GaP Nucleation Layers Grown on Si by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition // Physica Status Solidi A, 2020, 217, 1900532 (9 p.).
15. V.I. Popkov, O.V. Almjasheva, A.S. Semenova, D.G. Kellerman, V.N. Nevedomskiy, V.V. Gusarov. Magnetic properties of YFeO3 nanocrystals obtained by different soft-chemical methods // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. – 2017.– Vol. 28, I. 10. – P. 7163.

Организации, где выполнялась диссертация ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Место работы ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Научный консультант Павлов Дмитрий Алексеевич, доктор физико-математических наук, профессор, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, физический факультет, заведующий кафедрой физики полупроводников, электроники и наноэлектроники (отзыв)
Оппоненты
  1. Литвинов Владимир Георгиевич, доктор физико-математических наук, доцент, федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина», кафедра «Микро- и наноэлектроника» факультета электроники, заведующий кафедрой (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.10 - Физика полупроводников (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Structural dependent eu3+ luminescence, photoelectric and hysteresis effects in porous strontium titanate / M. Rudenko, N. Gaponenko, V. Litvinov, A. Ermachikhin, E. Chubenko, V. Borisenko, N. Mukhin, Y. Radyush, A. Tumarkin, A. Gagarin // Materials. – 2020.– Vol. 13, I. 24. – P. 5767.
    2. Квантовый выход двусторонних солнечных элементов типа HIT / А.В. Ермачихин, Ю.В. Воробьев, А.Д. Маслов, Е.П. Трусов, В.Г. Литвинов // Физика и техника полупроводников. – 2020. – Т.54, Вып. 10. – С. 1066.
    3. Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n+-p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Журнал технической физики. – 2019. – Т.89, Вып. 5. – С. 737.
    4. Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Письма в журнал технической физики. – 2019. – Т.45, Вып. 4. – С. 24.
    5. Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/por-Si/p-Si / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т.52, Вып. 7 – С. 751.
    6. Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT / С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, В.В. Гудзев, А.В. Ермачихин, Д.В. Жилина, В.Г. Литвинов, А.Д. Маслов, В.Г. Мишустин, Е.И. Теруков, А.С. Титов // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т.52, Вып. 7 – С. 787.
    7. Study of Nanoporous Carbon Fabrics for Rechargeable Energy Storage Capacitors / S.M. Karabanov, V.G. Litvinov, N.B. Rybin, E.V. Slivkin, V.V. Oreshkin, D.V. Suvorov // MRS Advances. – 2017.– Vol. 3, I. 54. – P. 3227.
    8. An Automated Measuring System for Current Deep-Level Transient Spectroscopy / A.V. Ermachikhin, V.G. Litvinov // Instruments and Experimental Techniques. – 2017.– Vol. 61, I. 2. – P. 277.
    9. Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Письма в журнал технической физики. – 2017. – Т.43, Вып. 21 – С. 3.
    10. Investigation of Deep-Level Defects Lateral Distribution in Active Layers of Multicrystalline Silicon Solar Cells / V.G. Litvinov, A.V. Ermachikhin, D.S. Kusakin, N.V. Vishnyakov, V.V. Gudzev, A.S. Karabanov, S.M. Karabanov, S.P. Vikhrov // MRS Advances. – 2017.– Vol. 2, I. 53. – P. 3146.

  2. Середин Павел Владимирович, доктор физико-математических наук, федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Воронежский государственный университет», кафедра физики твердого тела и наноструктур физического факультета, заведующий кафедрой (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.10 - Физика полупроводников (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. HVPE fabrication of GaN sub-micron pillars on preliminarily treated Si(001) substrate / P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, I.N. Arsentyev, Sh.Sh. Sharofidinov, I.A. Kasatkin, T. Prutskij // Optical Materials. – 2021.– Vol. 117. – P. 111130.
    2. Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si / П.В. Середин, Д.Л. Голощапов, И.Н. Арсентьев, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко // Физика и техника полупроводников. – 2021. – Т.55, Вып. 1. – С. 34.
    3. Optical study of clustering in III-V semiconductor quaternary solid solutions / T. Prutskij, P. Seredin // Journal of Luminescence. – 2021.– Vol. 231. – P. 117830.
    4. Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon / P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, I.N. Arsentyev, D.N. Nikolayev, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, H. Leiste, T. Prutskij // Applied Surface Science. – 2021.– Vol. 537. – P. 147985.
    5. Effect of the transition porous silicon layer on the properties of hybrid GaN/SiC/por-Si/Si(1 1 1) heterostructures / P.V. Seredin, H. Leiste, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov // Journal of Science: Advanced Materials and Devices. – 2020.– Vol. 5. – P. 512.
    6. High linear polarization of photoluminescence of GaInP epilayers at low temperature / T. Prutskij, P. Seredin, G Attolini // Journal of Luminescence. – 2019.– Vol. 212. – P. 141.
    7. Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией / П.В. Середин, А.В. Федюкин, В.А. Терехов, К.А. Барков, И.Н. Арсентьев, А.Д. Бондарев, Е.В. Фомин, Н.А. Пихтин // Физика и техника полупроводников. – 2019. – Т.53, Вып. 11. – С. 1584.
    8. Effect of GaAs(100) substrate misorientation on structural, electronic, and optical properties of AlN nano-sized films obtained by reactive plasma-ion deposition / P.V. Seredin, V.A. Terekhov, K.A. Barkov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev // Physica B: Condensed Matter. – 2019.– Vol. 563. – P. 62
    9. Structural, optical and morphological properties of hybrid heterostructures on the basis of GaN grown on compliant substrate por-Si(111) / P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, H. Leiste, M. Rinke // Applied Surface Science. – 2019.– Vol. 1049. – P. 476
    10. Influence of por-Si sublayer on the features of heteroepitaxial growth and physical properties of InxGa1-xN/Si(111) heterostructures with nanocolumn morphology of thin film / P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, А.S. Lenshin, А.М. Mizerov, D.S. Zolotukhin // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. – 2018.– Vol. 104. – P. 101
    11. Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия / П.В. Середин, А.С. Леньшин, А.В. Федюкин, Д.Л. Голощапов, А.Н. Лукин, И.Н. Арсентьев, А.В. Жаботинский // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т.52, Вып. 9. – С. 1041.
    12. Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100) / П.В. Середин, А.С. Леньшин, А.В. Федюкин, И.Н. Арсентьев, А.В. Жаботинский, Д.Н. Николаев, Harald Leiste, Monika Rinke // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т.52, Вып. 1. – С. 118.
    13. Experimental investigations of atomic ordering effects in the epitaxial GaxIn1-xP, coherently grown on GaAs (100) substrates / P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, Y.Y. Khudyakov, A.S. Lenshin, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, Т. Prutskij // Physica B: Condensed Matter. – 2017.– Vol. 509. – P. 1.
    14. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах GaxIn1-xP на их оптические свойства / П.В. Середин, Д.Л. Голощапо, А.С. Леньшин, А.Н. Лукин, Ю.Ю. Худяков, И.Н. Арсентьев, Тatiana Prutskij // Физика и техника полупроводников. – 2017. – Т.51, Вып. 9. – С. 1160.
    15. Эпитаксиальные твердые растворы AlxGa1-xAs:Mg с различным типом проводимости // П.В. Середин, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, А.В. Жаботинский, Д.Н. Николаев,
    И.С. Тарасов, В.В. Шамахов, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke // Физика и техника полупроводников. – 2017. – Т.51, Вып. 1. – С. 124.

  3. Аверкиев Никита Сергеевич, доктор физико-математических наук, профессор, федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Центр физики наногетероструктур, главный научный сотрудник, заведующий сектором теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.10 - Физика полупроводников (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Correlation of elastic and optoelectronic properties near structural phase transition in organic–inorganic lead iodide perovskite single crystals / I.V. Zhevstovskikh, N.S. Averkiev, M.N. Sarychev, O.I. Semenova, V.A. Golyashov, O.E. Tereshchenko // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2021.– Vol. 33. – P. 045403.
    2. Anisotropic magnetoresistance and memory effect in bulk systems with extended defects / K.S. Denisov, K.A. Baryshnikov, P.S. Alekseev, N.S. Averkiev // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2021.– Vol. 33. – P. 385802.
    3. Chiral spin structure of electron gas in systems with magnetic skyrmions / L.A. Yung, K.S. Denisov, I.V. Rozhansky, N.S. Averkiev, E. Lähderanta // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. – 2020.– Vol. 506. – P. 166755.
    4. Split-off states in tunnel-coupled semiconductor heterostructures for ultrafast modulation of spin and optical polarization / I.V. Rozhansky, V.N. Mantsevich, N.S. Maslova, P.I. Arseyev, N.S. Averkiev, E. Lähderanta // Physical Review B. – 2020.– Vol. 101. – P. 045305.
    5. Sub-lattice of Jahn-Teller centers in hexaferrite crystal / V.V. Gudkov, M.N. Sarychev, S. Zherlitsyn, I.V. Zhevstovskikh, N.S. Averkiev, D.A. Vinnik, S.A. Gudkova, R. Niewa, M. Dressel, L.N. Alyabyeva, B.P. Gorshunov, I.B. Bersuker // Scientific Reports. – 2020.– Vol. 10. – P. 7076.
    6. Sign-reversal electron magnetization in Mn-doped semiconductor structures / I.A. Kokurin, A.Yu. Silov, N.S. Averkiev // Physical Review B. – 2020.– Vol. 102. – P. 041202(R).
    7. Interplay between relaxation and resonance in ultrasound attenuation by the cubic crystal ZnSe:Cr / K. Baryshnikov, N. Averkiev, I. Bersuker, V. Gudkov, I. Zhevstovskikh, M. Sarychev, S. Zherlitsyn, S. Yasin, Y. Korostelin // Physica status solidi (b). – 2019.– Vol. 256, I. 6. – P. 201800635.
    8. Chiral spin ordering of electron gas in solids with broken time reversal symmetry / K.S. Denisov, I.V. Rozhansky, N.S. Averkiev, E. Lähderanta // Scientific Reports. – 2019.– Vol. 9. – P. 10817.
    9. К теории плазмон-экситонов: оценка константы взаимодействия и оптический спектр / Н.С. Аверкиев, А.В. Коротченков, В.А. Кособукин // Физика и техника полупроводников. – 2019 – Т. 53, Вып. 8. – С. 1063.
    10. Denisov, K.S. Hall effect driven by non-collinear magnetic polarons in diluted magnetic semiconductor / K.S. Denisov, N.S. Averkiev // Applied Physics Letters. – 2018.– Vol. 112. – P. 162409.
    11. Аверкиев, Н.С. Акцепторный центр MnGa в GaAs (Обзор) / Аверкиев Н.С., А.А. Гуткин // Физика твердого тела. – 2018 – Т. 60, Вып. 12. – С. 2275.
    12. Two components of donor-acceptor recombination in compensated semiconductors: Analytical model of spectra in the presence of electrostatic fluctuations / N.A. Bogoslovskiy, P.V. Petrov, Yu.L. Ivánov, K.D. Tsendin, N.S. Averkiev // Physical Review B. – 2018.– Vol. 98. – P. 075209.
    13. Dynamic spin injection into a quantum well coupled to a spin-split bound state / N.S. Maslova, I.V. Rozhansky, V.N. Mantsevich, P.I. Arseyev, N.S. Averkiev, E. Lähderanta // Physical Review B. – 2018.– Vol. 97. – P. 195445.
    14. Carrier spin relaxation in diluted magnetic quantum wells: Effect of Mn spin correlations / I.V. Krainov, M. Vladimirova, D. Scalbert, E. Lähderanta, A.P. Dmitriev, and N.S. Averkiev // Physical Review B. – 2017.– Vol. 96. – P. 165304.
    15. Averkiev, N.S. Current-induced spin orientation in semiconductors and low-dimensional structures / N.S. Averkiev, I.A. Kokurin // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. – 2017.– Vol. 440. – P. 157.

Заседание диссовета при защите диссертации

Протокол заседания диссовета: 7, 08.06.2022

Члены диссертационного совета, присутствовавшие на заседании при защите диссертации:

Чупрунов Е.В., Машин А.И., Марычев М.О., Бурдов В.А., Гавриленко В.И., Демидов Е.С., Дорохин М.В., Нохрин А.В., Павлов Д.А., Перевезенцев В.Н., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шастин В.Н., Шенгуров В.Г., Якимов А.В.

Заключение диссовета

История

04.02.2022 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

16.02.2022 - Диссертация принята к защите (протокол № 4)

15.06.2022 - Решение диссертационного совета по результатам защиты диссертации: присудить учёную степень доктора наук, протокол: 7, 08.06.2022

Присвоена степень доктора наук