Главная страница
Главная страница
Диссертационные советы
Текущая работа диссоветов
Архив
Справочная информация по вопросам научной аттестации
Ф.И.О. Кудрин Алексей Владимирович
Диссертация Докторская диссертация на тему: Ферромагнитные полупроводниковые структуры на основе слоев AIIIBV, легированных атомами Mn и Fe (33.48 Мб, загрузить)
Диссертационный совет 24.2.340.01
Научная специальность 1.3.11. - Физика полупроводников (физико-математические науки)
Дата защиты 08.06.2022
Статус принята к защите
Автореферат Загрузить
Объявление на сайте ВАК https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100063916
Ведущая организация федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»)

Адрес: 197022, Северо-Западный федеральный округ, субъект Российской Федерации: Санкт-Петербург, город Санкт-Петербург, улица Профессора Попова, дом 5, литера Ф
Телефон: +7(812) 234-46-51
Факс: +7(812) 346-27-58
Адрес электронной почты: info@etu.ru
Адрес в сети Интернет: https://etu.ru

Организации, где выполнялась диссертация ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Место работы ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Научный консультант Павлов Дмитрий Алексеевич, доктор физико-математических наук, профессор, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, физический факультет, заведующий кафедрой физики полупроводников, электроники и наноэлектроники (отзыв)
Оппоненты
  1. Литвинов Владимир Георгиевич, доктор физико-математических наук, доцент, федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина», кафедра «Микро- и наноэлектроника» факультета электроники, заведующий кафедрой

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.10 - Физика полупроводников (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Structural dependent eu3+ luminescence, photoelectric and hysteresis effects in porous strontium titanate / M. Rudenko, N. Gaponenko, V. Litvinov, A. Ermachikhin, E. Chubenko, V. Borisenko, N. Mukhin, Y. Radyush, A. Tumarkin, A. Gagarin // Materials. – 2020.– Vol. 13, I. 24. – P. 5767.
    2. Квантовый выход двусторонних солнечных элементов типа HIT / А.В. Ермачихин, Ю.В. Воробьев, А.Д. Маслов, Е.П. Трусов, В.Г. Литвинов // Физика и техника полупроводников. – 2020. – Т.54, Вып. 10. – С. 1066.
    3. Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n+-p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Журнал технической физики. – 2019. – Т.89, Вып. 5. – С. 737.
    4. Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Письма в журнал технической физики. – 2019. – Т.45, Вып. 4. – С. 24.
    5. Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/por-Si/p-Si / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т.52, Вып. 7 – С. 751.
    6. Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT / С.П. Вихров, Н.В. Вишняков, В.В. Гудзев, А.В. Ермачихин, Д.В. Жилина, В.Г. Литвинов, А.Д. Маслов, В.Г. Мишустин, Е.И. Теруков, А.С. Титов // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т.52, Вып. 7 – С. 787.
    7. Study of Nanoporous Carbon Fabrics for Rechargeable Energy Storage Capacitors / S.M. Karabanov, V.G. Litvinov, N.B. Rybin, E.V. Slivkin, V.V. Oreshkin, D.V. Suvorov // MRS Advances. – 2017.– Vol. 3, I. 54. – P. 3227.
    8. An Automated Measuring System for Current Deep-Level Transient Spectroscopy / A.V. Ermachikhin, V.G. Litvinov // Instruments and Experimental Techniques. – 2017.– Vol. 61, I. 2. – P. 277.
    9. Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния / В.В. Трегулов, В.Г. Литвинов, А.В. Ермачихин // Письма в журнал технической физики. – 2017. – Т.43, Вып. 21 – С. 3.
    10. Investigation of Deep-Level Defects Lateral Distribution in Active Layers of Multicrystalline Silicon Solar Cells / V.G. Litvinov, A.V. Ermachikhin, D.S. Kusakin, N.V. Vishnyakov, V.V. Gudzev, A.S. Karabanov, S.M. Karabanov, S.P. Vikhrov // MRS Advances. – 2017.– Vol. 2, I. 53. – P. 3146.

  2. Середин Павел Владимирович, доктор физико-математических наук, федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Воронежский государственный университет», кафедра физики твердого тела и наноструктур физического факультета, заведующий кафедрой

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.10 - Физика полупроводников (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. HVPE fabrication of GaN sub-micron pillars on preliminarily treated Si(001) substrate / P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, I.N. Arsentyev, Sh.Sh. Sharofidinov, I.A. Kasatkin, T. Prutskij // Optical Materials. – 2021.– Vol. 117. – P. 111130.
    2. Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si / П.В. Середин, Д.Л. Голощапов, И.Н. Арсентьев, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко // Физика и техника полупроводников. – 2021. – Т.55, Вып. 1. – С. 34.
    3. Optical study of clustering in III-V semiconductor quaternary solid solutions / T. Prutskij, P. Seredin // Journal of Luminescence. – 2021.– Vol. 231. – P. 117830.
    4. Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon / P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, I.N. Arsentyev, D.N. Nikolayev, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, H. Leiste, T. Prutskij // Applied Surface Science. – 2021.– Vol. 537. – P. 147985.
    5. Effect of the transition porous silicon layer on the properties of hybrid GaN/SiC/por-Si/Si(1 1 1) heterostructures / P.V. Seredin, H. Leiste, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov // Journal of Science: Advanced Materials and Devices. – 2020.– Vol. 5. – P. 512.
    6. High linear polarization of photoluminescence of GaInP epilayers at low temperature / T. Prutskij, P. Seredin, G Attolini // Journal of Luminescence. – 2019.– Vol. 212. – P. 141.
    7. Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией / П.В. Середин, А.В. Федюкин, В.А. Терехов, К.А. Барков, И.Н. Арсентьев, А.Д. Бондарев, Е.В. Фомин, Н.А. Пихтин // Физика и техника полупроводников. – 2019. – Т.53, Вып. 11. – С. 1584.
    8. Effect of GaAs(100) substrate misorientation on structural, electronic, and optical properties of AlN nano-sized films obtained by reactive plasma-ion deposition / P.V. Seredin, V.A. Terekhov, K.A. Barkov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev // Physica B: Condensed Matter. – 2019.– Vol. 563. – P. 62
    9. Structural, optical and morphological properties of hybrid heterostructures on the basis of GaN grown on compliant substrate por-Si(111) / P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, H. Leiste, M. Rinke // Applied Surface Science. – 2019.– Vol. 1049. – P. 476
    10. Influence of por-Si sublayer on the features of heteroepitaxial growth and physical properties of InxGa1-xN/Si(111) heterostructures with nanocolumn morphology of thin film / P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, А.S. Lenshin, А.М. Mizerov, D.S. Zolotukhin // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. – 2018.– Vol. 104. – P. 101
    11. Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия / П.В. Середин, А.С. Леньшин, А.В. Федюкин, Д.Л. Голощапов, А.Н. Лукин, И.Н. Арсентьев, А.В. Жаботинский // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т.52, Вып. 9. – С. 1041.
    12. Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100) / П.В. Середин, А.С. Леньшин, А.В. Федюкин, И.Н. Арсентьев, А.В. Жаботинский, Д.Н. Николаев, Harald Leiste, Monika Rinke // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т.52, Вып. 1. – С. 118.
    13. Experimental investigations of atomic ordering effects in the epitaxial GaxIn1-xP, coherently grown on GaAs (100) substrates / P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, Y.Y. Khudyakov, A.S. Lenshin, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, Т. Prutskij // Physica B: Condensed Matter. – 2017.– Vol. 509. – P. 1.
    14. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах GaxIn1-xP на их оптические свойства / П.В. Середин, Д.Л. Голощапо, А.С. Леньшин, А.Н. Лукин, Ю.Ю. Худяков, И.Н. Арсентьев, Тatiana Prutskij // Физика и техника полупроводников. – 2017. – Т.51, Вып. 9. – С. 1160.
    15. Эпитаксиальные твердые растворы AlxGa1-xAs:Mg с различным типом проводимости // П.В. Середин, А.С. Леньшин, И.Н. Арсентьев, А.В. Жаботинский, Д.Н. Николаев,
    И.С. Тарасов, В.В. Шамахов, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke // Физика и техника полупроводников. – 2017. – Т.51, Вып. 1. – С. 124.

  3. Аверкиев Никита Сергеевич, доктор физико-математических наук, профессор, федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Центр физики наногетероструктур, главный научный сотрудник, заведующий сектором теории оптических и электрических явлений в полупроводниках

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.10 - Физика полупроводников (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Correlation of elastic and optoelectronic properties near structural phase transition in organic–inorganic lead iodide perovskite single crystals / I.V. Zhevstovskikh, N.S. Averkiev, M.N. Sarychev, O.I. Semenova, V.A. Golyashov, O.E. Tereshchenko // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2021.– Vol. 33. – P. 045403.
    2. Anisotropic magnetoresistance and memory effect in bulk systems with extended defects / K.S. Denisov, K.A. Baryshnikov, P.S. Alekseev, N.S. Averkiev // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2021.– Vol. 33. – P. 385802.
    3. Chiral spin structure of electron gas in systems with magnetic skyrmions / L.A. Yung, K.S. Denisov, I.V. Rozhansky, N.S. Averkiev, E. Lähderanta // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. – 2020.– Vol. 506. – P. 166755.
    4. Split-off states in tunnel-coupled semiconductor heterostructures for ultrafast modulation of spin and optical polarization / I.V. Rozhansky, V.N. Mantsevich, N.S. Maslova, P.I. Arseyev, N.S. Averkiev, E. Lähderanta // Physical Review B. – 2020.– Vol. 101. – P. 045305.
    5. Sub-lattice of Jahn-Teller centers in hexaferrite crystal / V.V. Gudkov, M.N. Sarychev, S. Zherlitsyn, I.V. Zhevstovskikh, N.S. Averkiev, D.A. Vinnik, S.A. Gudkova, R. Niewa, M. Dressel, L.N. Alyabyeva, B.P. Gorshunov, I.B. Bersuker // Scientific Reports. – 2020.– Vol. 10. – P. 7076.
    6. Sign-reversal electron magnetization in Mn-doped semiconductor structures / I.A. Kokurin, A.Yu. Silov, N.S. Averkiev // Physical Review B. – 2020.– Vol. 102. – P. 041202(R).
    7. Interplay between relaxation and resonance in ultrasound attenuation by the cubic crystal ZnSe:Cr / K. Baryshnikov, N. Averkiev, I. Bersuker, V. Gudkov, I. Zhevstovskikh, M. Sarychev, S. Zherlitsyn, S. Yasin, Y. Korostelin // Physica status solidi (b). – 2019.– Vol. 256, I. 6. – P. 201800635.
    8. Chiral spin ordering of electron gas in solids with broken time reversal symmetry / K.S. Denisov, I.V. Rozhansky, N.S. Averkiev, E. Lähderanta // Scientific Reports. – 2019.– Vol. 9. – P. 10817.
    9. К теории плазмон-экситонов: оценка константы взаимодействия и оптический спектр / Н.С. Аверкиев, А.В. Коротченков, В.А. Кособукин // Физика и техника полупроводников. – 2019 – Т. 53, Вып. 8. – С. 1063.
    10. Denisov, K.S. Hall effect driven by non-collinear magnetic polarons in diluted magnetic semiconductor / K.S. Denisov, N.S. Averkiev // Applied Physics Letters. – 2018.– Vol. 112. – P. 162409.
    11. Аверкиев, Н.С. Акцепторный центр MnGa в GaAs (Обзор) / Аверкиев Н.С., А.А. Гуткин // Физика твердого тела. – 2018 – Т. 60, Вып. 12. – С. 2275.
    12. Two components of donor-acceptor recombination in compensated semiconductors: Analytical model of spectra in the presence of electrostatic fluctuations / N.A. Bogoslovskiy, P.V. Petrov, Yu.L. Ivánov, K.D. Tsendin, N.S. Averkiev // Physical Review B. – 2018.– Vol. 98. – P. 075209.
    13. Dynamic spin injection into a quantum well coupled to a spin-split bound state / N.S. Maslova, I.V. Rozhansky, V.N. Mantsevich, P.I. Arseyev, N.S. Averkiev, E. Lähderanta // Physical Review B. – 2018.– Vol. 97. – P. 195445.
    14. Carrier spin relaxation in diluted magnetic quantum wells: Effect of Mn spin correlations / I.V. Krainov, M. Vladimirova, D. Scalbert, E. Lähderanta, A.P. Dmitriev, and N.S. Averkiev // Physical Review B. – 2017.– Vol. 96. – P. 165304.
    15. Averkiev, N.S. Current-induced spin orientation in semiconductors and low-dimensional structures / N.S. Averkiev, I.A. Kokurin // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. – 2017.– Vol. 440. – P. 157.

История

04.02.2022 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

16.02.2022 - Диссертация принята к защите (протокол № 4)

Для участия в заседании диссовета по вопросам присуждения ученых степеней Вам необходимо подать заявление на e-mail диссовета, размещенного на сайте diss.unn.ru. Подробная информация о процедурах подачи заявки и доступа к заседанию совета в удаленном интерактивном режиме содержится в разделе «Об особенностях организации работы диссертационных советов в удаленном интерактивном режиме».принята к защите