| Ф.И.О. | Сушков Артем Александрович |
|---|---|
| Диссертация | Кандидатская диссертация на тему: Cоздание платформы на основе подложки класса «кремний-на-изоляторе» для эпитаксии слоев AIIIBV |
| Диссертационный совет | 24.2.340.01 |
| Научная специальность | 1.3.11. - Физика полупроводников (физико-математические науки) |
| Дата защиты | 04.10.2023 |
| Статус | Присвоена степень кандидата наук |