Главная страница
Главная страница
Диссертационные советы
Текущая работа диссоветов
Архив
Справочная информация по вопросам научной аттестации
Ф.И.О. Сушков Артем Александрович
Диссертация Кандидатская диссертация на тему: Cоздание платформы на основе подложки класса «кремний-на-изоляторе» для эпитаксии слоев AIIIBV (16.66 Мб, загрузить)
Диссертационный совет 24.2.340.01
Научная специальность 1.3.11. - Физика полупроводников (физико-математические науки)
Дата защиты 04.10.2023
Статус Присвоена степень кандидата наук
Автореферат Загрузить
Отзывы:
  1. Баянкин Владимир Яковлевич, доктор технических наук, профессор, главный научный сотрудник лаборатории электронной структуры поверхности отдела физики и химии поверхности Физико-технического института Удмуртского федерального исследовательского центра Уральского отделения Российской академии наук - отзыв
  2. Борисов Анатолий Михайлович, доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник лаборатории физики наноструктур и радиационных эффектов Научно-исследовательского института ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова - отзыв
  3. Буданов Александр Владимирович, доктор физико-математических наук, доцент, заведующий кафедрой физики, теплотехники и теплоэнергетики Воронежского государственного университета инженерных технологий - отзыв
  4. Итальянцев Александр Георгиевич, доктор физико-математических наук, профессор, начальник отдела функциональной электроники Акционерного общества "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" - отзыв
  5. Карасев Платон Александрович, доктор физико-математических наук, доцент, профессор высшей инженерно-физической школы Санкт-Петербургского Политехнического университета Петра Великого; Подсвиров Олег Алексеевич, доктор физико-математических наук, профессор, профессор высшей инженерно-физической школы Санкт-Петербургского Политехнического университета Петра Великого - отзыв
Объявление на сайте ВАК https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100074920
Ведущая организация Акционерное общество «Научно-исследовательский институт «Полюс» имени М.Ф. Стельмаха» (АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха») (отзыв)

Адрес: 117342, г. Москва, ул. Введенского, д. 3, корп. 1;
Тел.: +7 495 333-91-44;
Адрес электронной почты: bereg@niipolyus.ru;
Сайт: https://niipolyus.ru

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. Данилов, А. И. Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками / А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков // Квантовая электроника. — 2022. — Т. 52. — № 12. — С. 1079.
2. Дураев, В. П. Перестраиваемый одночастотный полупроводниковый лазерный модуль с длиной волны излучения 1064 нм / В. П. Дураев, М. А. Ладугин, И. С. Молодцов, С. А. Воронченко, С. В. Медведев, Н. В. Гультиков // Квантовая электроника. — 2022. — Т. 52. — № 9. — С. 775.
3. Короннов, А. А. Pin-фотодиод на основе InGaAs/InP для фотоприемных устройств систем импульсной лазерной дальнометрии / А. А. Короннов, Н. Ф. Салова, М. М. Землянов, А. В. Гринин, А. Е. Сафутин, Е. В. Кузнецов, М. А. Ладугин, М. Ю. Кузнецов, Н. Н. Брагин, А. В. Мамин // Квантовая электроника. — 2022. — Т. 52. — № 7. — С. 671.
4. Слипченко, С. О. Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs / С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин // Квантовая электроника. — 2022. — Т. 52. — № 2. — С. 174.
5. Подоскин, А. А. Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs / А. А. Подоскин, П. С. Гаврина, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков // Физика и техника полупроводников. — 2021. — Т. 55. — № 5. — С. 466.
6. Бабичев, А. В. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии / А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, К. А. Подгаецкий, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, Н. А. Пихтин, Г. С. Соколовский, А. Ю. Егоров // Письма в ЖТФ. — 2021. — Т. 47. — № 24. — С. 46.
7. Багаев, Т. А. Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм / Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков // Квантовая электроника. — 2021. — Т. 51. — № 10. — С. 912.
8. Багаев, Т. А. Тройной интегрированный лазер-тиристор / Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин // Квантовая электроника. — 2020. — Т. 50. — № 11. — С. 1001.
9. Телегин, К. Ю. Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs / К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк // Квантовая электроника. — 2020. — Т. 50. — № 5. — С. 489.
10. Гаврина, П. С. Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs / П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков // Письма в ЖТФ. — 2019. — Т. 45. — № 8. — С. 7.
11. Багаев, Т. А. Двойной интегрированный лазер-тиристор / Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин // Квантовая электроника. — 2019. — Т. 49. — № 11. — С. 1011.
12. Мармалюк, А. А. Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером / А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков // Квантовая электроника. — 2019. — Т. 49. — № 6. — С. 519.
13. Ладугин, М. А. Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs / М. А. Ладугин, Н. В. Гультиков, А. А. Мармалюк, В. П. Коняев, А. В. Соловьева // Квантовая электроника. — 2019. — Т. 49. — № 10. — С. 905.
14. Ладугин, М. А. Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов / М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк // Квантовая электроника. — 2019. — Т. 49. — № 6. — С. 529.
15. Ладугин, М. А. Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs / М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков // Квантовая электроника. — 2018. — Т. 48. — № 11. — С. 993.

Организации, где выполнялась диссертация ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Место работы ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Научный руководитель Павлов Дмитрий Алексеевич, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физики полупроводников, электроники и наноэлектроники физического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского (отзыв)
Оппоненты
  1. Середин Павел Владимирович, доктор физико-математических наук, доцент, федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Воронежский государственный университет», кафедра физики твердого тела и наноструктур физического факультета, заведующий кафедрой (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.10 – Физика полупроводников (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Середин, П. В. Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением / П. В. Середин, А. С. Леньшин, Abduljabbar Riyad Khuder, Д. Л. Голощапов, М. А. Хараджиди, И. Н. Арсентьев, И. А. Касаткин // Физика и техника полупроводников. — 2021. — Т. 55. — № 11. — С. 1021.
    2. Середин, П. В. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии / П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij // Физика и техника полупроводников. — 2021. — Т. 55. — № 8. — С. 704.
    3. Середин, П. В. Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, H. Leiste // Физика и техника полупроводников. — 2021. — Т. 55. — № 1. — С. 86.
    4. Середин, П. В. Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко // Физика и техника полупроводников. — 2021. — Т. 55. — № 1. — С. 34.
    5. Середин, П. В. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, С. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. — 2020. — Т. 54. — № 5. — С. 491.
    6. Середин, П. В. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111) / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, С. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. — 2020. — Т. 54. — № 4. — С. 346.
    7. Середин, П. В. Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией / П. В. Середин, А. В. Федюкин, В. А. Терехов, К. А. Барков, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Е. В. Фомин, Н. А. Пихтин // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Т. 53. — № 11. — С. 1584.
    8. Середин, П. В. Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111) / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Т. 53. — № 8. — С. 1141.
    9. Середин, П. В. Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур AIIIN/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии / П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Т. 53. — № 7. — С. 1010.
    10. Середин, П. В. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур InxGa1−xN/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Т. 53. — № 1. — С. 70.
    11. Середин, П. В. Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111) / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Г. Ляйсте, М. Ринке // Квантовая электроника. — 2019. — Т. 49. — № 6. — С. 545.
    12. Середин, П. В. Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур InxGa1−xN/Si(111) / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, М. А. Кондрашин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, M. Rinke // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — № 13. — С. 1553.
    13. Середин, П. В. Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия / П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — № 9. — С. 1041.
    14. Середин, П. В. Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — № 8. — С. 881.
    15. Середин, П. В. Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100) / П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Harald Leiste, Monika Rinke // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — № 1. — С. 118.

  2. Юсупов Роман Валерьевич, кандидат физико-математических наук, доцент, федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Казанский (Приволжский) федеральный университет», Научно-исследовательская лаборатория «Гетероструктуры для посткремниевой электроники» Института физики, ведущий научный сотрудник, руководитель (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.07 – Физика твердого тела (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Янилкин, И. В. Пленка сплава Pd−Fe с большим градиентом магнитной примеси: структурные и магнитные свойства / И. В. Янилкин, А. И. Гумаров, И. А. Головчанский, Г. Ф. Гиззатуллина, А. Г. Киямов, Б. Ф. Габбасов, Р. В. Юсупов, Л. Р. Тагиров // Журнал технической физики. — 2023. — Т. 93. — № 2. — С. 214.
    2. Cherosov, M. A. Mössbauer effect study of a polycrystalline Fe1+xCr2-xO4 spinel grown by solid-state synthesis / M A. Cherosov, A. L. Zinnatullin, R. G. Batulin, A. G. Kiiamov, R. V. Yusupov, D. A. Taurskii // J. Phys. Conf. Series. — 2022. — V. 2164. — P. 012067.
    3. Nurtdinova, L. A. Ultrafast Plasmon Resonance Modification in Epitaxial Silver Film / L. A. Nurtdinova, A. V. Petrov, I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, R. V. Yusupov // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. — 2022. — V. 86. — P. 696.
    4. Yanilkin, I. V. Controllable two- and three-state magnetization switching in single-layer epitaxial Pd1−xFex films and an epitaxial Pd0.92Fe0.08/Ag/Pd0.96Fe0.04 heterostructure / I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, G. F. Gizzatullina, R. V. Yusupov, L. R. Tagirov // Beilstein J. Nanotechnol. — 2022. — V. 13. — P. 334.
    5. Yanilkin, I. Synthesis, Characterization, and Magnetoresistive Properties of the Epitaxial Pd0.96Fe0.04/VN/Pd0.92Fe0.08 Superconducting Spin-Valve Heterostructure / I. Yanilkin, W. Mohammed, A. Gumarov, A. Kiiamov, R. Yusupov, L. Tagirov // Nanomaterials. — 2021. — V. 11. — N. 1. — P. 64.
    6. Yanilkin, I. V. Synthesis of Thin Niobium Films on Silicon and Study of Their Superconducting Properties in the Dimensional Crossover Region / I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, A. M. Rogov, R. V. Yusupov, L. R. Tagirov // Technical Physics. — 2021. — V. 66. — N. 2. — P. 263.
    7. Gumarov, A. I. Iron-implanted epitaxial palladium thin films: Structure, ferromagnetism and signatures of spinodal decomposition / A. I. Gumarov, I. V. Yanilkin, R. V. Yusupov, A. G. Kiiamov, L. R. Tagirov, R. I. Khaibullin // Materials Letters. — 2021. — V. 305. — P. 130783.
    8. Biryukov, Y. P. Low temperature investigation of iron-rich oxoborates vonsenite and hulsite: thermal deformations of crystal structure and cascades of magnetic transitions / Y. P. Biryukov, A. L. Zinnatullin, M. A. Cherosov, A. P. Shablinskii, R. V. Yusupov, R. S. Bubnova, F. G. Vagizov, S. K. Filatov, I. V. Pekov // Acta. Crystallogr. B. Struct. Sci. Cryst. Eng. Mater. — 2021. — V. B77. — P. 1021.
    9. Esmaeili, A. Epitaxial thin-film Pd1−xFex alloy: a tunable ferromagnet for superconducting spintronics / A. Esmaeili, I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, I. R. Vakhitov, B. F. Gabbasov, R. V. Yusupov, D. A. Tatarsky, L. R. Tagirov // Science China Materials. — 2021. — V. 64. — P. 1246.
    10. Mohammed, W. M. Epitaxial growth and superconducting properties of thin-film PdFe/VN and VN/PdFe bilayers on MgO(001) substrates / W. M. Mohammed, I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, A. G. Kiiamov, R. V. Yusupov, L. R. Tagirov // Beilstein J. Nanotechnol. — 2020. — V. 11. — P. 807.
    11. Esmaeili, A. Epitaxial growth of Pd1−xFex films on MgO single-crystal substrate / A. Esmaeili, I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, I. R. Vakhitov, B. F. Gabbasov, A. G. Kiiamov, A. M. Rogov, Yu. N. Osin, A. E. Denisov, R. V. Yusupov, L. R. Tagirov // Thin Solid Films. — 2019. — V. 669. — P. 338.
    12. Yanilkin, I. V. Magnetic and magnetoresonant properties of thin-film Fe/Ag/Co/CoO heterostructure synthesized by combined molecular beam epitaxy and reactive magnetron sputtering / I. V. Yanilkin, I. R. Vakhitov, A. I. Gumarov, M. V. Pasynkov, E. T. Mukhametova, M. N. Aliyev, R. V. Yusupov, L. R. Tagirov // Magnetic Resonance in Solids. — 2018. — V. 20. — N. 2. — P. 18204.

Заседание диссовета при защите диссертации

Протокол заседания диссовета: 14, 04 октября 2023 г.

Члены диссертационного совета, присутствовавшие на заседании при защите диссертации:

Чупрунов Е.В., Марычев М.О., Бурдов В.А., Воротынцев В.М., Демидов Е.С., Дорохин М.В., Красильник З.Ф., Кудрин А.В., Нохрин А.В., Павлов Д.А., Сомов Н.В., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Якимов А.В.

Заключение диссовета

История

08.06.2023 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

29.06.2023 - Диссертация принята к защите (протокол № 10)

12.10.2023 - Решение диссертационного совета по результатам защиты диссертации: присудить учёную степень кандидата наук, протокол: 14, 04 октября 2023 г.

Присвоена степень кандидата наук