Адрес: 117342, г. Москва, ул. Введенского, д. 3, корп. 1;
Тел.: +7 495 333-91-44;
Адрес электронной почты: bereg@niipolyus.ru;
Сайт: https://niipolyus.ru

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. Данилов, А. И. Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками / А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков // Квантовая электроника. — 2022. — Т. 52. — № 12. — С. 1079.
2. Дураев, В. П. Перестраиваемый одночастотный полупроводниковый лазерный модуль с длиной волны излучения 1064 нм / В. П. Дураев, М. А. Ладугин, И. С. Молодцов, С. А. Воронченко, С. В. Медведев, Н. В. Гультиков // Квантовая электроника. — 2022. — Т. 52. — № 9. — С. 775.
3. Короннов, А. А. Pin-фотодиод на основе InGaAs/InP для фотоприемных устройств систем импульсной лазерной дальнометрии / А. А. Короннов, Н. Ф. Салова, М. М. Землянов, А. В. Гринин, А. Е. Сафутин, Е. В. Кузнецов, М. А. Ладугин, М. Ю. Кузнецов, Н. Н. Брагин, А. В. Мамин // Квантовая электроника. — 2022. — Т. 52. — № 7. — С. 671.
4. Слипченко, С. О. Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs / С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин // Квантовая электроника. — 2022. — Т. 52. — № 2. — С. 174.
5. Подоскин, А. А. Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs / А. А. Подоскин, П. С. Гаврина, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков // Физика и техника полупроводников. — 2021. — Т. 55. — № 5. — С. 466.
6. Бабичев, А. В. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии / А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, К. А. Подгаецкий, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, Н. А. Пихтин, Г. С. Соколовский, А. Ю. Егоров // Письма в ЖТФ. — 2021. — Т. 47. — № 24. — С. 46.
7. Багаев, Т. А. Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм / Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков // Квантовая электроника. — 2021. — Т. 51. — № 10. — С. 912.
8. Багаев, Т. А. Тройной интегрированный лазер-тиристор / Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин // Квантовая электроника. — 2020. — Т. 50. — № 11. — С. 1001.
9. Телегин, К. Ю. Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs / К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк // Квантовая электроника. — 2020. — Т. 50. — № 5. — С. 489.
10. Гаврина, П. С. Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs / П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков // Письма в ЖТФ. — 2019. — Т. 45. — № 8. — С. 7.
11. Багаев, Т. А. Двойной интегрированный лазер-тиристор / Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин // Квантовая электроника. — 2019. — Т. 49. — № 11. — С. 1011.
12. Мармалюк, А. А. Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером / А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков // Квантовая электроника. — 2019. — Т. 49. — № 6. — С. 519.
13. Ладугин, М. А. Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs / М. А. Ладугин, Н. В. Гультиков, А. А. Мармалюк, В. П. Коняев, А. В. Соловьева // Квантовая электроника. — 2019. — Т. 49. — № 10. — С. 905.
14. Ладугин, М. А. Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов / М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк // Квантовая электроника. — 2019. — Т. 49. — № 6. — С. 529.
15. Ладугин, М. А. Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs / М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков // Квантовая электроника. — 2018. — Т. 48. — № 11. — С. 993.

1. Середин Павел Владимирович, доктор физико-математических наук, доцент, федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Воронежский государственный университет», кафедра физики твердого тела и наноструктур физического факультета, заведующий кафедрой (отзыв)
   
   

   Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
   01.04.10 – Физика полупроводников (физико-математические науки)

   Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
   1. Середин, П. В. Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением / П. В. Середин, А. С. Леньшин, Abduljabbar Riyad Khuder, Д. Л. Голощапов, М. А. Хараджиди, И. Н. Арсентьев, И. А. Касаткин // Физика и техника полупроводников. — 2021. — Т. 55. — № 11. — С. 1021.
   2. Середин, П. В. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии / П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij // Физика и техника полупроводников. — 2021. — Т. 55. — № 8. — С. 704.
   3. Середин, П. В. Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, H. Leiste // Физика и техника полупроводников. — 2021. — Т. 55. — № 1. — С. 86.
   4. Середин, П. В. Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко // Физика и техника полупроводников. — 2021. — Т. 55. — № 1. — С. 34.
   5. Середин, П. В. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, С. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. — 2020. — Т. 54. — № 5. — С. 491.
   6. Середин, П. В. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111) / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, С. А. Кукушкин // Физика и техника полупроводников. — 2020. — Т. 54. — № 4. — С. 346.
   7. Середин, П. В. Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией / П. В. Середин, А. В. Федюкин, В. А. Терехов, К. А. Барков, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Е. В. Фомин, Н. А. Пихтин // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Т. 53. — № 11. — С. 1584.
   8. Середин, П. В. Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111) / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Т. 53. — № 8. — С. 1141.
   9. Середин, П. В. Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур AIIIN/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии / П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Т. 53. — № 7. — С. 1010.
   10. Середин, П. В. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур InxGa1−xN/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Т. 53. — № 1. — С. 70.
   11. Середин, П. В. Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111) / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Г. Ляйсте, М. Ринке // Квантовая электроника. — 2019. — Т. 49. — № 6. — С. 545.
   12. Середин, П. В. Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур InxGa1−xN/Si(111) / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, М. А. Кондрашин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, M. Rinke // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — № 13. — С. 1553.
   13. Середин, П. В. Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия / П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — № 9. — С. 1041.
   14. Середин, П. В. Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии / П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — № 8. — С. 881.
   15. Середин, П. В. Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100) / П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Harald Leiste, Monika Rinke // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — № 1. — С. 118.

2. Юсупов Роман Валерьевич, кандидат физико-математических наук, доцент, федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Казанский (Приволжский) федеральный университет», Научно-исследовательская лаборатория «Гетероструктуры для посткремниевой электроники» Института физики, ведущий научный сотрудник, руководитель (отзыв)
   
   

   Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
   01.04.07 – Физика твердого тела (физико-математические науки)

   Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
   1. Янилкин, И. В. Пленка сплава Pd−Fe с большим градиентом магнитной примеси: структурные и магнитные свойства / И. В. Янилкин, А. И. Гумаров, И. А. Головчанский, Г. Ф. Гиззатуллина, А. Г. Киямов, Б. Ф. Габбасов, Р. В. Юсупов, Л. Р. Тагиров // Журнал технической физики. — 2023. — Т. 93. — № 2. — С. 214.
   2. Cherosov, M. A. Mössbauer effect study of a polycrystalline Fe1+xCr2-xO4 spinel grown by solid-state synthesis / M A. Cherosov, A. L. Zinnatullin, R. G. Batulin, A. G. Kiiamov, R. V. Yusupov, D. A. Taurskii // J. Phys. Conf. Series. — 2022. — V. 2164. — P. 012067.
   3. Nurtdinova, L. A. Ultrafast Plasmon Resonance Modification in Epitaxial Silver Film / L. A. Nurtdinova, A. V. Petrov, I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, R. V. Yusupov // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. — 2022. — V. 86. — P. 696.
   4. Yanilkin, I. V. Controllable two- and three-state magnetization switching in single-layer epitaxial Pd1−xFex films and an epitaxial Pd0.92Fe0.08/Ag/Pd0.96Fe0.04 heterostructure / I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, G. F. Gizzatullina, R. V. Yusupov, L. R. Tagirov // Beilstein J. Nanotechnol. — 2022. — V. 13. — P. 334.
   5. Yanilkin, I. Synthesis, Characterization, and Magnetoresistive Properties of the Epitaxial Pd0.96Fe0.04/VN/Pd0.92Fe0.08 Superconducting Spin-Valve Heterostructure / I. Yanilkin, W. Mohammed, A. Gumarov, A. Kiiamov, R. Yusupov, L. Tagirov // Nanomaterials. — 2021. — V. 11. — N. 1. — P. 64.
   6. Yanilkin, I. V. Synthesis of Thin Niobium Films on Silicon and Study of Their Superconducting Properties in the Dimensional Crossover Region / I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, A. M. Rogov, R. V. Yusupov, L. R. Tagirov // Technical Physics. — 2021. — V. 66. — N. 2. — P. 263.
   7. Gumarov, A. I. Iron-implanted epitaxial palladium thin films: Structure, ferromagnetism and signatures of spinodal decomposition / A. I. Gumarov, I. V. Yanilkin, R. V. Yusupov, A. G. Kiiamov, L. R. Tagirov, R. I. Khaibullin // Materials Letters. — 2021. — V. 305. — P. 130783.
   8. Biryukov, Y. P. Low temperature investigation of iron-rich oxoborates vonsenite and hulsite: thermal deformations of crystal structure and cascades of magnetic transitions / Y. P. Biryukov, A. L. Zinnatullin, M. A. Cherosov, A. P. Shablinskii, R. V. Yusupov, R. S. Bubnova, F. G. Vagizov, S. K. Filatov, I. V. Pekov // Acta. Crystallogr. B. Struct. Sci. Cryst. Eng. Mater. — 2021. — V. B77. — P. 1021.
   9. Esmaeili, A. Epitaxial thin-film Pd1−xFex alloy: a tunable ferromagnet for superconducting spintronics / A. Esmaeili, I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, I. R. Vakhitov, B. F. Gabbasov, R. V. Yusupov, D. A. Tatarsky, L. R. Tagirov // Science China Materials. — 2021. — V. 64. — P. 1246.
   10. Mohammed, W. M. Epitaxial growth and superconducting properties of thin-film PdFe/VN and VN/PdFe bilayers on MgO(001) substrates / W. M. Mohammed, I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, A. G. Kiiamov, R. V. Yusupov, L. R. Tagirov // Beilstein J. Nanotechnol. — 2020. — V. 11. — P. 807.
   11. Esmaeili, A. Epitaxial growth of Pd1−xFex films on MgO single-crystal substrate / A. Esmaeili, I. V. Yanilkin, A. I. Gumarov, I. R. Vakhitov, B. F. Gabbasov, A. G. Kiiamov, A. M. Rogov, Yu. N. Osin, A. E. Denisov, R. V. Yusupov, L. R. Tagirov // Thin Solid Films. — 2019. — V. 669. — P. 338.
   12. Yanilkin, I. V. Magnetic and magnetoresonant properties of thin-film Fe/Ag/Co/CoO heterostructure synthesized by combined molecular beam epitaxy and reactive magnetron sputtering / I. V. Yanilkin, I. R. Vakhitov, A. I. Gumarov, M. V. Pasynkov, E. T. Mukhametova, M. N. Aliyev, R. V. Yusupov, L. R. Tagirov // Magnetic Resonance in Solids. — 2018. — V. 20. — N. 2. — P. 18204.

08.06.2023 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

29.06.2023 - Диссертация принята к защите (протокол № 10)