Адрес: 197022, Северо-Западный федеральный округ, субъект Российской Федерации: Санкт-Петербург, город Санкт-Петербург, улица Профессора Попова, дом 5 литера Ф
Телефон: +7(812) 234-46-51
Факс: +7(812) 346-27-58
Адрес электронной почты: info@etu.ru
Адрес в сети Интернет: https://etu.ru

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. Маврин И.А., Андреева Н.В., Рындин Е.А. Моделирование и аппаратное исполнение импульсных нейронных сетей: учеб.пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2023. 103 с.
2. Andreeva, Natalia and Ryndin, Eugeny and Mavrin, Ivan, Approaches to Hardware Optimization of Spiking Neural Network Implementation. 2023. Available at SSRN: https://ssrn.com/abstract=4538644 or http://dx.doi.org/10.2139/ssrn.4538644
3. Al-Saman, A.A., Ryndin, E.A., Zhang, X., Pei, Y., Lin, F. Analytical model of non-uniform charge distribution within the gated region of GaN HEMTs // Journal of Semiconductors, 2023, 44(8), 082802.
4. Рындин Е.А., Маврин И.А., Андреева Н.В., Лучинин В.В. Нейроморфный электронный модуль, ориентированный на использование мемристорной ЭКБ, для распознавания изображений // Нано- и микросистемная техника. – 2022. – Т.24, № 6 – С. 293-303
5. Андреева Н.В. Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем, специальность 01.04.10 – «Физика полупроводников»: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук / ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» – Санкт-Петербург, 2022. – 303 с.
6. N. Andreeva, E. Ryndin, D. Mazing, et al. Organismic memristive structures with variable functionality for neuroelectronics // Frontiers in Neuroscience. – 2022. – Vol. 16. – P. 913618.
7. E. Ryndin, N. Andreeva, V. Luchinin. Compact Model for Bipolar and Multilevel Resistive Switching in Metal-Oxide Memristors // Micromachines. – 2022. – Vol. 13, No 1. – P. 98.
8. A. A. Al-Saman, E. A. Ryndin, Y. Pei, F. Lin, "An Estimation of 2DEG Density for GaN HEMT Using Analytical Equation Considering the Charge conservation Low," // Solid-State Electronics, 188 (2022) 108209, https://doi.org/10.1016/j.sse.2021.108209.
9. Andreeva N.V., Luchinin V.V., Ryndin E.A. et al. Neuromorphic Memristive Chips: Design and Technology // Nano- and Microsystems Technology. – 2021. - Vol. 23, No. 6, pp. 285 – 294.
10. Ryndin E.A., Andreeva N.V., Luchinin V.V. et al. Neuromorphic Functional Modules of Spiking Neural Network // Nano- and Microsystems Technology. – 2021. - Vol. 23, No. 6, pp. 317 – 326.
11. N. Andreeva, D. Mazing, A. Romanov, et al. Contact engineering approach to improve the linearity of multilevel memristive devices // Micromachines. – 2021. – Vol. 12, No 1. – P. 1567.
12. Y. Pei, A. A. Al-Saman, C. YIN, E. A. Ryndin and F. Lin, "An Intrinsic Small-Signal Equivalent Circuit Model for AlGaN/GaN HEMT Considering the momentum balance equation," in IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2021, doi: 10.1109/JEDS.2021.3124327.
13. N. Andreeva, E. Ryndin, M. Gerasimova. Memristive Logic Design of Multifunctional Spiking Neural Network with Unsupervised Learning // BioNanoScience. – 2020. –Vol. 10. – P. 824-833.
14. Al-Saman A., Pei Y., Ryndin E., Lin F. An Accurate Temperature Estimation for Each Gate of GaN HEMT with n-Gate-Fingers // IEEE Transaction on Electron Devices, 2020. Vol. 67(9). P. 3577-3584. doi: 10.1109/TED.2020.3012116.
15. Pisarenko I.V., Ryndin E.A. Numerical simulation of high-speed AIIIBV photodetectors within drift-diffusion approximation // Journal of Physics: Conf. Series. 2019. Vol. 1368. 042052. DOI: 10.1088/1742-6596/1368/4/042052

1. Васильевский Иван Сергеевич, доктор физико-математических наук, доцент, федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», профессор кафедры физики конденсированных сред, ведущий научный сотрудник Центра радиофотоники и свч-технологий Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике (отзыв)
   
   

   Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
   05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (физико-математические науки)

   Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
   1. A.N. Klochkov, A. Yskakov, A.N. Vinichenko, D.A. Safonov, N.I. Kargin, M.V. Bulavin, A.V. Galushko, V.R. Yamurzin and I.S. Vasil’evskii "Effect of Neutron Irradiation on the Electronic and Optical Properties of AlGaAs/InGaAs-Based Quantum Well Structures"; Materials, Volume 16, 6750 (2023)
   2. Д. Цунваза, Р.В. Рыжук, И.С. Васильевский, Н.И. Каргин, В.А. Клоков “РАЗРАБОТКА НЕЛИНЕЙНОЙ МОДЕЛИ ПСЕВДОМОРФНОГО 0.15 МКМ РHEMT ALGAAS/INGAAS/GAAS ТРАНЗИСТОРА” Микроэлектроника, T. 52, № 3, стр. 200-206 (2023)
   3. Локотко В.В., Васильевский И.С., Каргин Н.И.; «РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ПОСТРОЕНИЯ НЕЛИНЕЙНОЙ МОДЕЛИ МЕТАМОРФНОГО 0.15 МКМ МHEMT INALAS/INGAAS ТРАНЗИСТОРА»; Микроэлектроника. 2023. Т. 52. № 1. С. 58-67
   4. E.I. Vasilkova, A.N. Klochkov , A.N. Vinichenko , N.I. Kargin , I.S. Vasil’evskii. «Comparison of the thermal interdiffusion phenomena in InGaAs/GaAs and InGaAs/AlGaAs strained heterostructures» // Surfaces and Interfaces. 2022. Vol. 29, P. 101766.
   5. V. Krivenkov, P. Samokhvalov, I.S. Vasil'evskii, N.I. Kargin, I. Nabiev. Plasmon–exciton interaction strongly increases the efficiency of a quantum dot-based near-infrared photodetector operating in the two-photon absorption mode under normal conditions// Nanoscale. 2021. Vol. 47, P. 19929-19935.
   6. D.A. Safonov, A.N. Klochkov, A.N. Vinichenko, Yu. D. Sibirmovsky, N.I. Kargin, I.S.Vasil'evskii. Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times in one side delta-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at high electron density limit // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2021. Vol. 133. P. 114787.
   7. I.M. Dobush, I.S. Vasil’evskii, D.D. Zykov, D.S. Bragin, A.S. Salnikov, A.A. Popov, A.A. Gorelov, N.I. Kargin. Development of a 0.15 μm GaAs Phemt process design kit for low‐noise applications // Electronics (Switzerland). 2021. Vol. 10. No. 22. P. 2775.
   8. Fominski, V.Y., Romanov, R.I., Vasil'evskii, I.S., Safonov D.A., Soloviev A.A., Ivanov A.A., Zinin P.V., Krasnoborodko S.Y.,Vysokikh, Y.E., Filonenko, V.P. Pulsed laser modification of layered B-C and mixed BCx films on sapphire substrate. Diamond and Related Materials. 2021. Vol. 114. P. 108336.
   9. Р.А. Хабибуллин, К.В. Маремьянин, Д.С. Пономарев, Р.Р. Галиев, А.А. Зайцев, А.И. Данилов, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, А.Н. Клочков, А.А. Афоненко, Д.В. Ушаков, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой " 120 K // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 11. С. 989-994.
   10. D.I. Khusyainov, E.D. Mishina, V.A. Khomchenko, I.S.Vasil’evskii, A.M. Buryakov, M.S. Ivanov, S.A. Nomoev. An advanced approach to control the electro-optical properties of LT-GaAs-based terahertz photoconductive antenna // Materials Research Bulletin. 2020. Vol. 122. P. 110688.
   11. Klochkov, A. N., Klimov, E. A., Solyankin, P. M., Konnikova, M. R., Vasil’evskii, I. S.,Vinichenko, A. N., Shkurinov, A. P., Galiev, G. B. THz Radiation of Photoconductive Antennas Based on {LT-GaAa/GaAa:Si} Superlattice Structures // Optics and Spectroscopy. 2020. Vol. 128. № 7. P. 1010-1017.
   12. G. B. Galiev, I. N. Trunkin, A. L. Vasiliev, I. S. Vasil’evskii, A. N. Vinichenko, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. P. Maltsev & S. S. Pushkarev. New Structure for Photoconductive Antennas Based on {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattice on GaAs(111)A Substrate// Crystallography Reports. 2019. Vol. 64. P. 205–211.
   13. Виниченко А.Н., Сафонов Д.А., Каргин Н.И., Васильевский И.С. Электронный квантовый транспорт в псевдоморфных и метаморфных квантовых ямах на основе In0.2Ga0.8As // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 3. С. 359-364.
   14. I .S. Vasil'evskii. Effect of thin heterogeneous functional nanolayers on electron transport in InGaAs-based quantum wells with high electron density.// IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 2019. Vol. 475. P. 012023.

2. Крылов Владимир Павлович, доктор технических наук, доцент, федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых», профессор кафедры «Электроника, приборостроение и биотехнические системы» Института информационных технологий и электроники, руководитель научно-образовательного центра "CALS в электронике" (отзыв)
   
   

   Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
   01.04.13 – электрофизика (физико-математические науки)

   Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
   1. Крылов В.П., Богачев А.М., Пронин Т.Ю. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней и неразрушающий контроль потенциальных дефектов полупроводниковой электронной компонентной базы // Радиопромышленность. 2019. Т. 29. № 2. C.35–44.
   2. Крылов В.П., Богачев А.М. Релаксация глубоких центров в транзисторах и интегральных микросхемах //Известия вузов «Электроника», №6 (25), 2020, с.568-572.
   3. Крылов В.П., Татмышевский К.В., Богачев А.М. Deep levels model identification in semiconductor barrier structures // MPCPE 2020, IOP Publishing, IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 896 (2020) 012125 doi: 10.1088/1757-899X/896/1/012125
   4. Павлов Д.Д., Татмышевский К.В., Крылов В.П. Functional materials based on the effect of mechanoluminescence for monitoring the state of load-bearing structures // IOP Publishing, IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 896 (2020) 012092 doi: 10.1088/1757-899X/896/1/012092
   5. Крылов В.П., Богачев А.М. Цифровая обработка сигналов релаксации емкости полупроводниковых приборов и интегральных микросхем // DSPA-2021, Москва, Россия,
   2021 23rd International Conference on Digital Signal Processing and its Applications (DSPA),2021, pp.1-4, doi: 10.1109/DSPA51283.2021.9535699 https://ieeexplore.ieee.org/document/9535699.
   6. Крылов В.П., Пронин Т.Ю. ОТНОСИТЕЛЬНАЯ СТАТИСТИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ МЕХАНИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ //Труды МАИ. 2019. № 105. С. 11

26.02.2024 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

23.04.2024 - Диссертация принята к защите (протокол № 5)