| Оппоненты | - Мармалюк Александр Анатольевич, доктор технических наук, Акционерное общество «Научно-исследовательский институт «Полюс» имени М.Ф. Стельмаха», Научно-производственный комплекс «Квантовая электроника и радиофотоника», начальник научно-технического центра
Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники (технические науки) Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. Дюделев В.В., Черотченко Е.Д., Врубель И.И., Михайлов Д.А., Чистяков Д.В., Мыльников В.Ю., Лосев С.Н., Когновицкая Е.А., Бабичев А.В., Лютецкий А.В., Слипченко С.О., Пихтин Н.А., Гладышев А.Г., Подгаецкий К.А., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Новиков И.И., Кучинский В.И. и др., “Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ”, Успехи физических наук, 194:1 (2024), 98-105.
2. Bragin N.N., Svetogorov V.N., Ryaboshtan Yu.L., Marmalyuk A.A., Ivanov A.V., Ladugin M.A., “Features of high-power uni-traveling-carrier InGaAs/InP photodiodes”, Bulletin of the Lebedev Physics Institut, 51:S2 (2024), S180-S184.
3. Афоненко Ан.А., Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Пушкарев С.С., Хабибуллин Р.А. Анализ ПЭМ-изображения квантово-каскадной лазерной гетероструктуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников. 2024. Т. 58. №4. С. 179-184
4. Sabitov D.R., Svetogorov V.N., Ryaboshtan Yu.L., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Vasil’ev M.G., Vasil’ev A.M., Kostin Yu.O., Shelyakin A.A., “New highly reliable optical transmitting modules based on high-power superluminescent diodes in the spectral range of 1.5–1.6 μm”, Bulletin of the Lebedev Physics Institut, 50:S11 (2023), S1246-S1251.
5. Veselov D.A., Pikhtin N.A., Slipchenko S.O., Kirichenko I.K., Podoskin A.A., Shuvalova N.V., Rudova N.A., Vavilova L.S., Rastegaeva M.G., Bagaev T.A., Svetogorov V.N., Padalitsa A.A., Ryaboshtan Yu.L., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., “Implementation of energy barrier layers for 1550 nm high-power laser diodes”, Journal of Luminescence, 263 (2023), 120164.
6. Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.И. Данилов, Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, А.А. Зайцев, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко, Р.Р. Галиев, А.Ю. Павлов, С.С. Пушкарев, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ, 2022, том 48, вып. 10 С. 16-19
7. Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков, “Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 912–914.
8. С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 174–178.
9. М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк, “Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1–xAs/AlyGa1–yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 362–366.
10. А. А. Подоскин, П. С. Гаврина, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 466–472.
11. Sergey O. Slipchenko, Aleksandr A. Podoskin, Dmitrii A. Veselov, Vladislav A. Strelets, Natalia A. Rudova, Nikita A. Pikhtin, Timur A. Bagaev, Maxim A. Ladugin, Alexander A. Marmalyuk, Peter S. Kop’ev, “Tunnel-Coupled Laser Diode Microarray as a kW-Level 100-ns Pulsed Optical Power Source (λ = 910 nm)”, IEEE Photonics Technology Letters, 34:1 (2022), 35-38.
12. Sergey O. Slipchenko, Aleksandr A. Podoskin, Vyacheslav S. Golovin, Marina G. Rastegaeva, Natalia V. Voronkova, Nikita A. Pikhtin, Timur A. Bagaev, Maxim A. Ladugin, Aleksandr A. Marmalyuk, Vladimir A. Simakov, “ High-Power and Repetion Rate Nanosecond Pulse Generation in “Diode Laser—Thyristor” Stacks”, IEEE Photonics Technology Letters, 33:1 (2021), 11-14.
13. В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 50:12 (2020), 1123–1125.
14. О. О. Багаева, Р. Р. Галиев, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, В. В. Шишков, “Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:2 (2020), 143–146. - Литвинов Владимир Георгиевич, доктор физико-математических наук, доцент, федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина», кафедра «Микро- и наноэлектроника», заведующий кафедрой
Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
01.04.10 - Физика полупроводников (физико-математические науки) Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. Ермачихин А.В., Воробьев Ю.В., Маслов А.Д., Трусов Е.П., Литвинов В.Г. Квантовый выход двусторонних солнечных элементов типа HIT //Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 10. С. 1066-1071.
2. Maryia Rudenko, Nikolai Gaponenko, Vladimir Litvinov, Alexander Ermachikhin, Eugene Chubenko, Victor Borisenko, Nikolay Mukhin, Yuriy Radyush, Andrey Tumarkin and Alexander Gagarin. Structural Dependent Eu3+ Luminescence, Photoelectric and Hysteresis Effects in Porous Strontium Titanate //Materials 2020, 13, 5767.
3. Ermachikhin A.V., Vorobyov Y.V., Trusov E.P., Litvinov V.G. Investigation of HIT solar cells low frequency noise characteristics // Journal of Physics: Conference Series. "International Conference PhysicA.SPb/2021" 2021. P. 012105.
4. Loginov D.S., Baskakova A.V., Litvinov V.G., Kholomina T.A., Rybin N.B., Trusov E.P. Investigation influence of switching tests coatings of m agnetically controlled contacts on the surface structure // Journal of Physics: Conference Series. "International Conference PhysicA.SPb/2021" 2021. P. 012232.
5. Мантья М.Ф., Гудзев В.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г. Комплексное исследование электрофизических свойств барьерных структур на основе a-SI:H // В сборнике: Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2021. Сборник трудов IV Международного научно-технического форума: в 10 т.. Рязань, 2021. С. 103-110.
6. Мельник Н.Н., Трегулов В.В., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В., Трусов Е.П., Скопцова Г.Н., Иванов А.И. Механизмы токопереноса в полупроводниковой структуре с пленкой пористого кремния, сформированной металл-стимулированным травлением // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 4. С. 420-425.
7. Tolkach N.M., Vishnyakov N.V., Litvinov V.G., Yakubov A.O., Trofimov E.S., Sherchenkov A.A. Investigation of crystallinity degree for Ge₂Sb₂Te₅ films by reflection and transmission photometry // St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 2022. Т. 15. № S3.3. P. 219-222.
8. Вишняков Н.В., Литвинов В.Г., Мишустин В.Г., Гудзев В.В., Ермачихин А.В., Васин А.В. Комплексные исследования многослойных барьерных структур микро- и наноэлектроники // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2022. №82. С. 197-206.
9. Ermachikhin A.V., Litvinov V.G., Kholomina T.A., Maslov A.D., Trusov E.P. Automated measuring system for investigating temperature dependence of low-frequency noise spectra in electronic elements and structures//Eurasian Physical Technical Journal. 2022. V. 19. N.4(42). P.51-57.
10. Semenov A.R., Litvinov V.G., Kholomina T.A., Ermachikhin A.V., Rybin N.B. Investigation of the Morphology and Electrical Properties of Structures Based on a Single-Crystal Si/Microcrystalline ZnO Heterojunction // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2023, Vol. 17, No. 5, pp. 1134–1142.
11. Tolkach N.M., Vishnyakov N.V., Litvinov V.G., Sherchenkov A.A., Trusov E.P., Glukhenkaya V.B., Pepelyaev D.V. Modeling of Multilayer Structures with Tunable Optical Characteristics// Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2023, Vol. 17, No. 6, pp. 1217–1224.
12. Логинов Д.С., Холомина Т.А., Литвинов В.Г., Ксендзов А.В. Применение метода вариации Аллана к изучению низкочастотного шума магнитоуправляемых контактов // Вестник РГРТУ. 2023. № 85 С.170-177.
13. Зайцев К.С., Литвинов В.Г. Методы исследования механизмов деградации полупроводниковых элементов и интегральных схем // В сборнике: Актуальные проблемы современной науки и производства. Материалы VIII Всероссийской научно-технической конференции. Рязань, 2023. С. 186-191.
14. Горячкин Д.Р., Гудзев В.В., Минаева В.С., Литвинов В.Г. Анализ зонной диаграммы HIT-структуры //В сборнике: Современные технологии в науке и образовании - СТНО-2023. Сборник трудов VI международного научно-технического форума. В 10-ти томах. Под общей редакцией О.В. Миловзорова. Рязань, 2023. С. 109-114.
|
