1. Бутина Анастасия Валентиновна, кандидат технических наук, ведущий научный сотрудник ФГУП "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" - отзыв
2. Скрипачев Игорь Владимирович, доктор химических наук, заведующий лабораторией Института химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН - отзыв
3. Ткачев Олег Валерьевич, кандидат физико-математических наук, заместитель начальника отделения экспериментальной физики Российского федерального ядерного центра - Всероссийского научно-исследовательского института технической физики имени академика Е.И. Забабахина - отзыв
4. Шварц Максим Зиновьевич, кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник, заведующий лабораторией фотоэлектрических преобразователей ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН - отзыв

Адрес: г. Казань, ул. Лобачевского, д.2/31
420111, г. Казань, а/я 261, тел. (843)2927597, e-mail: presidium@knc.ru; http://knc.ru

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1) D.P. Pavlov, R.I. Batalov, A.V. Leontyev, D.K. Zharkov, S.A. Migachev, I.V. Lunev, V.M. Mukhortov, T.S. Shaposhnikova, R.F. Mamin. Investigation of the barium strontium titanate films on the silicon substrate // Ferroelectrics v.575:1, p.117-122 (2021).
2) D.A. Zatsepin, D.W. Boukhvalov, E.A. Buntov, A.F. Zatsepin, R.I. Batalov, H.A. Novikov, R.M. Bayazitov. Effect of pulsed ion-beam treatment on the electronic and optical properties of GaN epitaxial films on sapphire // Appl. Surf. Sci., 590, art. no.153023(1-9pp) (2022)
3) A.F. Zatsepin, E.A. Buntov, K.A. Arslanov, D.V. Ananchenko, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, H.A. NovikovandA.E. Nikolaev. Defect-related Photoluminescence in Ion-beam Annealed GaN Layers // AIP Confer. Proceed. 2466, 030017(5pp) (2022)
4) I. Tyschenko, R. Batalov, A. Shmelev, Zh. Si, V. Volodin, V. Popov. Visible room-temperature emission and excitation photoluminescence in In+- and As+- co-implanted SiO2 films // J. Lumin. V.269, art. no. 120534 (6pp) (2024)
5) М.С. Ковалев, И.М. Подлесных, Р.И. Баталов, Н.Г. Сцепуро, С.И. Кудряшов.Импульсный лазерный отжиг кремния, имплантированного ионами марганца // Оптика и спектроскопия, т.132(№1), с.42-46 (2024)
6) Ю.А. Данилов, В.А. Быков, О.В. Вихрова, Д.А. Здоровейщев, И.Л. Калентьева, Р.Н. Крюков, А.Е. Парафин, Ю.А. Агафонов, В.И. Зиненко, Р.И. Баталов, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин. Гальваномагнитные свойства слоев GaMnAs, полученных ионной имплантацией: роль энергии ионов Mn+ // ФТТ, т.66(6), с. 871-876 (2024)
7) Р.И. Баталов, В.В. Базаров, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, Г.А. Новиков, В.А. Шустов, К.Н. Галкин, И.Б. Чистохин, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, И.Н. Пархоменко. Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства кремния, имплантированного ионами индия и сурьмы и подвергнутого импульсному отжигу // Ж. приклад. спектр., Т.91, №6, с.804-812 (2024)
8) Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, И.А. Файзрахманов, В.А. Шустов, С.Г. Симакин, К.Н. Галкин, Н.А. Байдакова. Оптоэлектронные свойства сильно легированных слоёв Ge:Sb, полученных ионно-пучковыми методами // Оптика и спектроскопия, Т.132, №11, c. 1189-1195 (2024)
9) Р.И. Баталов, В.В. Базаров, Е.М. Бегишев, Н.М. Лядов, Г.А. Новиков, Р.Ф. Ликёров, И.М. Подлесных, С.Г. Симакин. Формирование композитных структур Si с наночастицами A3B5 для фотоэлектроники ближнего ИК диапазона // Автометрия, т.61, №6, с.5-14 (2025)
10) N.I. Dolzhenko, I.M. Podlesnykh, R.I. Batalov, M.S. Kovalev. Gold-Induced grain growth suppression and metallic conductivity in nanocrystalline silicon via pulsed laser annealing // J. Rus. Laser Res. (2025). https://doi.org/10.1007/s10946-025-10258-1
11) Р.И. Баталов, В.В. Базаров, Е.М. Бегишев, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин, Ф.Ф. Комаров, И.К. Чуприс. Структурные изменения и глубинное перераспределение имплантированных примесей In и As в Si при стационарной и импульсной термообработке // ЖТФ, т.96, вып. 4, с.816-823 (2026)

1. Середин Павел Владимирович, доктор физико-математических наук, Воронежский государственный университет, кафедра физики твердого тела и наноструктур физического факультета, заведующий кафедрой (отзыв)
   
   

   Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
   01.04.10. - Физика полупроводников (физико-математические науки)

   Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
   1. Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.L.; Kostomakha, D.E.; Peshkov, Y.A.; Buylov, N.S.; Mizerov, A.M.; Timoshnev, S.N.; Sobolev, M.S.; Nashchekin, A.V. Influence of High-Energy Helium Ions on the Characteristics of GaN Epilayers with Different n-Type Doping Levels, Grown on GaN-MOCVD/c-Al2O3 Templates by PA MBE. Surfaces and Interfaces 2025, 72, 107275, doi:10.1016/j.surfin.2025.107275.
   2. Buylov, N.S.; Pobedinskiy, V.V.; Ilina, E.A.; Goloshchapov, D.L.; Nesterov, D.N.; Stolpovskaya, N.V.; Chukavin, A.I.; Kersnovskiy, E.S.; Grechkina, M.V.; Parmon, P.L.; et al. Submicrostructure Evolution of High-Phosphorus Nickel Barrier/Seed Layers Deposited by Electroless Plating on SiO2/Si Substrates for 3D Integration Applications. Journal of Alloys and Compounds 2025, 1038, 182686, doi:10.1016/j.jallcom.2025.182686.
   3. Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.L.; Kosheleva, O.K.; Buylov, N.S.; Peshkov, Y.A.; Barkov, K.A.; Kersnovsky, E.S.; Mizerov, A.M.; Timoshnev, S.N.; Sobolev, M.S.; et al. The Peculiarities of Direct Gallium Nitride Growth on Silicon Substrates after Surface Passivation with Gallium Atoms and Indium as a Surfactant. Applied Surface Science 2025, 689, 162571, doi:10.1016/j.apsusc.2025.162571.
   4. Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.L.; Kostomakha, D.E.; Peshkov, Y.A.; Buylov, N.S.; Ivkov, S.A.; Mizerov, A.M.; Timoshnev, S.N.; Sobolev, M.S.; Ubyivovk, E.V.; et al. Comparative Studies of GaN, n-GaN and N+-GaN Contact Layers on GaN/c-Al2O3 Virtual Substrates Synthesized by PA MBE. Optical Materials 2024, 152, 115471, doi:10.1016/j.optmat.2024.115471.
   5. Seredin, P.V.; Sharofidinov, Sh.Sh.; Goloshchapov, D.L.; Peshkov, Y.A.; Ivkov, S.A.; Buylov, N.S.; Eremeev, K.A.; Kukushkin, S.A. Nanoscale Raman Mapping of Elastic Stresses in Multilayer Heterostructure Based on Multi-Period GaN/AlN Superlattices Grown Using HVPE Technology on Hybrid SiC/Si Substrate. Optical Materials 2024, 150, 115184, doi:10.1016/j.optmat.2024.115184.
   6. Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.L.; Kurilo, N.A.; Radam, A.O.; Kashkarov, V.M.; Lenshin, A.S.; Buylov, N.S.; Nesterov, D.N.; Mizerov, A.M.; Kukushkin, S.A.; et al. Comparative Studies of Nanoscale Columnar AlxGa1-xN/AlN Heterostructures Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on cSi, porSi/cSi and SiC/porSi/cSi Substrates. Optical Materials 2023, 145, 114451, doi:10.1016/j.optmat.2023.114451.
   7. Seredin, P.V.; Kurilo, N.; Goloshchapov, D.L.; Kashkarov, V.; Lenshin, A.S.; Buylov, N.; Nesterov, D.; Mizerov, A.; Kukushkin, S.A.; Timoshnev, S.; et al. Investigations of Nanoscale Columnar AlxGa1-xN/AlN Heterostructures Grown on Silicon Substrates with Different Modifications of the Surface. Photonics 2023, 10, 1209, doi:10.3390/photonics10111209.
   8. Terekhov, V.A.; Terukov, E.I.; Undalov, Y.K.; Barkov, K.A.; Kurilo, N.A.; Ivkov, S.A.; Nesterov, D.N.; Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.L.; Minakov, D.A.; et al. Effect of Plasma Oxygen Content on the Size and Content of Silicon Nanoclusters in Amorphous SiOx Films Obtained with Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. Symmetry 2023, 15, 1800, doi:10.3390/sym15091800.
   9. Buylov, N.S.; Sotskaya, N.V.; Kozaderov, O.A.; Shikhaliev, K.S.; Potapov, A.Yu.; Polikarchuk, V.A.; Rodivilov, S.V.; Pobedinskiy, V.V.; Grechkina, M.V.; Seredin, P.V. Fabrication and Characterization of Thin Metal Films Deposited by Electroless Plating with Organic Additives for Electrical Circuits Applications. Micromachines 2023, 14, 1151, doi:10.3390/mi14061151.
   10. Vasilkova, E.I.; Pirogov, E.V.; Sobolev, M.S.; Ubiyvovk, E.V.; Mizerov, A.M.; Seredin, P.V. Molecular Beam Epitaxy of Metamorphic Buffer for InGaAs/InP Photodetectors with High Photosensitivity in the Range of 2.2-2.6 Um. Конденсированные среды и межфазные границы 2023, 25, 20–26, doi:10.17308/kcmf.2023.25/10972.
   11. Seredin, P.V.; Buylov, N.S.; Goloshchapov, D.L.; Ivkov, S.A.; Matyukhina, E.P.; Arsentyev, I.N.; Nashchekin, A.V.; Sharofidinov, Sh.Sh.; Mizerov, A.M.; Pirogov, E.V.; et al. S2-Semipolar GaN Grown by HVPE on a Non-Polar m-Plane Sapphire: Features of Growth and Structural, Morphological, and Optical Properties. Optical Materials 2022, 129, 112507, doi:10.1016/j.optmat.2022.112507.
   12. Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.; Radam, A.O.; Lenshin, A.S.; Builov, N.S.; Mizerov, A.M.; Kasatkin, I.A. Comparative Study of Nanostructured Ultra-Thin AlGaN/GaN Heterostructures Grown on Hybrid Compliant SiC/porSi Substrates by Molecular Beam Epitaxy with Plasma Nitrogen Activation. Optical Materials 2022, 128, 112346, doi:10.1016/j.optmat.2022.112346.

2. Карасев Платон Александрович, доктор физико-математических наук, доцент, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Высшая инженерно-физическая школа, профессор (отзыв)
   
   

   Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
   01.01.04 - физическая электроника, 01.04.10 - физика полупроводников (физико-математические науки)

   Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
   1. P.A. Karaseov, K.P. Karasev, D.A. Strizhkin, E.D. Fedorenko, V.E. Pukha, A.E. Ieshkin, D.S. Kireev “Enhanced target erosion at the shadow mask edge by cluster ion bombardment” // Applied Surface Science 2026, vol. 720, 165220 (1-9).
   2. Titov, A. Klevtsov, E. Fedorenko, A. Azarov, A. Kuznetsov, and P. Karaseov “Density and fractality of collision cascades in α-Ga2O3” // Appl.Phys.Lett. (2025) v. 127, 152107 (1-6).
   3. Е.Д. Федоренко, А.И.Клевцов, А.И.Титов, В.Д.Андреева, А.Л.Шахмин, П.А. Карасев. Модификация приповерхностных слоёв альфа оксида галлия при облучении сверхбольшими дозами ионов // Физика и техника полупроводников, (2024) Т.58, №9, С. 513-523.
   4. Klevtsov, P. Karaseov, A. Azarov, K. Karabeshkin, E. Fedorenko, A Titov, A Kuznetsov, “Non-linear effects in α-Ga2O3 radiation phenomena” // APL Materials (2024) vol.12, pp. 111121(1-8).
   5. Карасев К.П., Стрижкин Д.А., Титов А.И., Карасев П.А. “Моделирование облучения кремния ионами С60 и роль потенциала взаимодействия” Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024. № 4. С. 68-74.
   6. Studzinskii V., Fedorenko E., Klevtsov A. and Karaseov P. “Tunable formation of gold nanoparticles on polymer by keV ion beam irradiation” Radiation Effects & Defects in Solids 2024, Vol. 179, Nos. 1–2, pp. 25–32
   7. Стручков А.И., Карабешкин К.В., Карасев П.А., Титов А.И. Анализ параметров индивидуальных каскадов столкновений при облучении Ga2O3 атомарными и молекулярными ионами Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 9. С. 738-742.
   8. V.E. Pukha, A.A. Glukhov, A.A. Belmesov, E.N. Kabachkov, I.I. Khodos, M. Khadem, D.-E. Kim, P.A. Karaseov, “Corrosion-resistant nanostructured carbon-based coatings for applications in fuel cells based on bipolar plates”, Vacuum, 2023, 218, 112643 (1-12)
   9. К.П.Карасев, Д.А.Стрижкин, А.И.Титов, П.А.Карасев “МД моделирование процессов при облучении кремния ионами фуллерена С60 с энергиями 2 – 8 кэВ” Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2023. Т. 17 №1. С. 74-79
   10. П.А. Карасев, К.В. Карабешкин, А.И. Стручков, А.И. Печников, В.И. Николаев, В.Д. Андреева, А.И. Титов, “Накопление структурных нарушений при облучении α-Ga2O3 ионами P и PF4”, Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, вып. 9, с. 882-887.

Протокол заседания диссовета: 8, 3.06.2026

Члены диссертационного совета, присутствовавшие на заседании при защите диссертации:

Чупрунов Е.В., Марычев М.О., Бурдов В.А., Демидов Е.С., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Нохрин А.В., Павлов Д.А., Сомов Н.В., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Хомицкий Д.В., Шенгуров В.Г.

Заключение диссовета

04.02.2026 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

31.03.2026 - Диссертация принята к защите (протокол № 4)

11.06.2026 - Решение диссертационного совета по результатам защиты диссертации: присудить учёную степень кандидата наук, протокол: 8, 3.06.2026