1. Бутина Анастасия Валентиновна, кандидат технических наук, ведущий научный сотрудник ФГУП "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" - отзыв
2. Скрипачев Игорь Владимирович, доктор химических наук, заведующий лабораторией Института химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН - отзыв
3. Ткачев Олег Валерьевич, кандидат физико-математических наук, заместитель начальника отделения экспериментальной физики Российского федерального ядерного центра - Всероссийского научно-исследовательского института технической физики имени академика Е.И. Забабахина - отзыв
4. Шварц Максим Зиновьевич, кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник, заведующий лабораторией фотоэлектрических преобразователей ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН - отзыв

Адрес: г. Казань, ул. Лобачевского, д.2/31
420111, г. Казань, а/я 261, тел. (843)2927597, e-mail: presidium@knc.ru; http://knc.ru

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1) D.P. Pavlov, R.I. Batalov, A.V. Leontyev, D.K. Zharkov, S.A. Migachev, I.V. Lunev, V.M. Mukhortov, T.S. Shaposhnikova, R.F. Mamin. Investigation of the barium strontium titanate films on the silicon substrate // Ferroelectrics v.575:1, p.117-122 (2021).
2) D.A. Zatsepin, D.W. Boukhvalov, E.A. Buntov, A.F. Zatsepin, R.I. Batalov, H.A. Novikov, R.M. Bayazitov. Effect of pulsed ion-beam treatment on the electronic and optical properties of GaN epitaxial films on sapphire // Appl. Surf. Sci., 590, art. no.153023(1-9pp) (2022)
3) A.F. Zatsepin, E.A. Buntov, K.A. Arslanov, D.V. Ananchenko, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, H.A. NovikovandA.E. Nikolaev. Defect-related Photoluminescence in Ion-beam Annealed GaN Layers // AIP Confer. Proceed. 2466, 030017(5pp) (2022)
4) I. Tyschenko, R. Batalov, A. Shmelev, Zh. Si, V. Volodin, V. Popov. Visible room-temperature emission and excitation photoluminescence in In+- and As+- co-implanted SiO2 films // J. Lumin. V.269, art. no. 120534 (6pp) (2024)
5) М.С. Ковалев, И.М. Подлесных, Р.И. Баталов, Н.Г. Сцепуро, С.И. Кудряшов.Импульсный лазерный отжиг кремния, имплантированного ионами марганца // Оптика и спектроскопия, т.132(№1), с.42-46 (2024)
6) Ю.А. Данилов, В.А. Быков, О.В. Вихрова, Д.А. Здоровейщев, И.Л. Калентьева, Р.Н. Крюков, А.Е. Парафин, Ю.А. Агафонов, В.И. Зиненко, Р.И. Баталов, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин. Гальваномагнитные свойства слоев GaMnAs, полученных ионной имплантацией: роль энергии ионов Mn+ // ФТТ, т.66(6), с. 871-876 (2024)
7) Р.И. Баталов, В.В. Базаров, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, Г.А. Новиков, В.А. Шустов, К.Н. Галкин, И.Б. Чистохин, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, И.Н. Пархоменко. Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства кремния, имплантированного ионами индия и сурьмы и подвергнутого импульсному отжигу // Ж. приклад. спектр., Т.91, №6, с.804-812 (2024)
8) Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, И.А. Файзрахманов, В.А. Шустов, С.Г. Симакин, К.Н. Галкин, Н.А. Байдакова. Оптоэлектронные свойства сильно легированных слоёв Ge:Sb, полученных ионно-пучковыми методами // Оптика и спектроскопия, Т.132, №11, c. 1189-1195 (2024)
9) Р.И. Баталов, В.В. Базаров, Е.М. Бегишев, Н.М. Лядов, Г.А. Новиков, Р.Ф. Ликёров, И.М. Подлесных, С.Г. Симакин. Формирование композитных структур Si с наночастицами A3B5 для фотоэлектроники ближнего ИК диапазона // Автометрия, т.61, №6, с.5-14 (2025)
10) N.I. Dolzhenko, I.M. Podlesnykh, R.I. Batalov, M.S. Kovalev. Gold-Induced grain growth suppression and metallic conductivity in nanocrystalline silicon via pulsed laser annealing // J. Rus. Laser Res. (2025). https://doi.org/10.1007/s10946-025-10258-1
11) Р.И. Баталов, В.В. Базаров, Е.М. Бегишев, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин, Ф.Ф. Комаров, И.К. Чуприс. Структурные изменения и глубинное перераспределение имплантированных примесей In и As в Si при стационарной и импульсной термообработке // ЖТФ, т.96, вып. 4, с.816-823 (2026)

1. Середин Павел Владимирович, доктор физико-математических наук, Воронежский государственный университет, кафедра физики твердого тела и наноструктур физического факультета, заведующий кафедрой (отзыв)
   
   

   Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
   01.04.10. - Физика полупроводников (физико-математические науки)

   Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
   1. Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.L.; Kostomakha, D.E.; Peshkov, Y.A.; Buylov, N.S.; Mizerov, A.M.; Timoshnev, S.N.; Sobolev, M.S.; Nashchekin, A.V. Influence of High-Energy Helium Ions on the Characteristics of GaN Epilayers with Different n-Type Doping Levels, Grown on GaN-MOCVD/c-Al2O3 Templates by PA MBE. Surfaces and Interfaces 2025, 72, 107275, doi:10.1016/j.surfin.2025.107275.
   2. Buylov, N.S.; Pobedinskiy, V.V.; Ilina, E.A.; Goloshchapov, D.L.; Nesterov, D.N.; Stolpovskaya, N.V.; Chukavin, A.I.; Kersnovskiy, E.S.; Grechkina, M.V.; Parmon, P.L.; et al. Submicrostructure Evolution of High-Phosphorus Nickel Barrier/Seed Layers Deposited by Electroless Plating on SiO2/Si Substrates for 3D Integration Applications. Journal of Alloys and Compounds 2025, 1038, 182686, doi:10.1016/j.jallcom.2025.182686.
   3. Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.L.; Kosheleva, O.K.; Buylov, N.S.; Peshkov, Y.A.; Barkov, K.A.; Kersnovsky, E.S.; Mizerov, A.M.; Timoshnev, S.N.; Sobolev, M.S.; et al. The Peculiarities of Direct Gallium Nitride Growth on Silicon Substrates after Surface Passivation with Gallium Atoms and Indium as a Surfactant. Applied Surface Science 2025, 689, 162571, doi:10.1016/j.apsusc.2025.162571.
   4. Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.L.; Kostomakha, D.E.; Peshkov, Y.A.; Buylov, N.S.; Ivkov, S.A.; Mizerov, A.M.; Timoshnev, S.N.; Sobolev, M.S.; Ubyivovk, E.V.; et al. Comparative Studies of GaN, n-GaN and N+-GaN Contact Layers on GaN/c-Al2O3 Virtual Substrates Synthesized by PA MBE. Optical Materials 2024, 152, 115471, doi:10.1016/j.optmat.2024.115471.
   5. Seredin, P.V.; Sharofidinov, Sh.Sh.; Goloshchapov, D.L.; Peshkov, Y.A.; Ivkov, S.A.; Buylov, N.S.; Eremeev, K.A.; Kukushkin, S.A. Nanoscale Raman Mapping of Elastic Stresses in Multilayer Heterostructure Based on Multi-Period GaN/AlN Superlattices Grown Using HVPE Technology on Hybrid SiC/Si Substrate. Optical Materials 2024, 150, 115184, doi:10.1016/j.optmat.2024.115184.
   6. Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.L.; Kurilo, N.A.; Radam, A.O.; Kashkarov, V.M.; Lenshin, A.S.; Buylov, N.S.; Nesterov, D.N.; Mizerov, A.M.; Kukushkin, S.A.; et al. Comparative Studies of Nanoscale Columnar AlxGa1-xN/AlN Heterostructures Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on cSi, porSi/cSi and SiC/porSi/cSi Substrates. Optical Materials 2023, 145, 114451, doi:10.1016/j.optmat.2023.114451.
   7. Seredin, P.V.; Kurilo, N.; Goloshchapov, D.L.; Kashkarov, V.; Lenshin, A.S.; Buylov, N.; Nesterov, D.; Mizerov, A.; Kukushkin, S.A.; Timoshnev, S.; et al. Investigations of Nanoscale Columnar AlxGa1-xN/AlN Heterostructures Grown on Silicon Substrates with Different Modifications of the Surface. Photonics 2023, 10, 1209, doi:10.3390/photonics10111209.
   8. Terekhov, V.A.; Terukov, E.I.; Undalov, Y.K.; Barkov, K.A.; Kurilo, N.A.; Ivkov, S.A.; Nesterov, D.N.; Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.L.; Minakov, D.A.; et al. Effect of Plasma Oxygen Content on the Size and Content of Silicon Nanoclusters in Amorphous SiOx Films Obtained with Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. Symmetry 2023, 15, 1800, doi:10.3390/sym15091800.
   9. Buylov, N.S.; Sotskaya, N.V.; Kozaderov, O.A.; Shikhaliev, K.S.; Potapov, A.Yu.; Polikarchuk, V.A.; Rodivilov, S.V.; Pobedinskiy, V.V.; Grechkina, M.V.; Seredin, P.V. Fabrication and Characterization of Thin Metal Films Deposited by Electroless Plating with Organic Additives for Electrical Circuits Applications. Micromachines 2023, 14, 1151, doi:10.3390/mi14061151.
   10. Vasilkova, E.I.; Pirogov, E.V.; Sobolev, M.S.; Ubiyvovk, E.V.; Mizerov, A.M.; Seredin, P.V. Molecular Beam Epitaxy of Metamorphic Buffer for InGaAs/InP Photodetectors with High Photosensitivity in the Range of 2.2-2.6 Um. Конденсированные среды и межфазные границы 2023, 25, 20–26, doi:10.17308/kcmf.2023.25/10972.
   11. Seredin, P.V.; Buylov, N.S.; Goloshchapov, D.L.; Ivkov, S.A.; Matyukhina, E.P.; Arsentyev, I.N.; Nashchekin, A.V.; Sharofidinov, Sh.Sh.; Mizerov, A.M.; Pirogov, E.V.; et al. S2-Semipolar GaN Grown by HVPE on a Non-Polar m-Plane Sapphire: Features of Growth and Structural, Morphological, and Optical Properties. Optical Materials 2022, 129, 112507, doi:10.1016/j.optmat.2022.112507.
   12. Seredin, P.V.; Goloshchapov, D.; Radam, A.O.; Lenshin, A.S.; Builov, N.S.; Mizerov, A.M.; Kasatkin, I.A. Comparative Study of Nanostructured Ultra-Thin AlGaN/GaN Heterostructures Grown on Hybrid Compliant SiC/porSi Substrates by Molecular Beam Epitaxy with Plasma Nitrogen Activation. Optical Materials 2022, 128, 112346, doi:10.1016/j.optmat.2022.112346.

2. Карасев Платон Александрович, доктор физико-математических наук, доцент, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Высшая инженерно-физическая школа, профессор (отзыв)
   
   

   Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
   01.01.04 - физическая электроника, 01.04.10 - физика полупроводников (физико-математические науки)

   Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
   1. P.A. Karaseov, K.P. Karasev, D.A. Strizhkin, E.D. Fedorenko, V.E. Pukha, A.E. Ieshkin, D.S. Kireev “Enhanced target erosion at the shadow mask edge by cluster ion bombardment” // Applied Surface Science 2026, vol. 720, 165220 (1-9).
   2. Titov, A. Klevtsov, E. Fedorenko, A. Azarov, A. Kuznetsov, and P. Karaseov “Density and fractality of collision cascades in α-Ga2O3” // Appl.Phys.Lett. (2025) v. 127, 152107 (1-6).
   3. Е.Д. Федоренко, А.И.Клевцов, А.И.Титов, В.Д.Андреева, А.Л.Шахмин, П.А. Карасев. Модификация приповерхностных слоёв альфа оксида галлия при облучении сверхбольшими дозами ионов // Физика и техника полупроводников, (2024) Т.58, №9, С. 513-523.
   4. Klevtsov, P. Karaseov, A. Azarov, K. Karabeshkin, E. Fedorenko, A Titov, A Kuznetsov, “Non-linear effects in α-Ga2O3 radiation phenomena” // APL Materials (2024) vol.12, pp. 111121(1-8).
   5. Карасев К.П., Стрижкин Д.А., Титов А.И., Карасев П.А. “Моделирование облучения кремния ионами С60 и роль потенциала взаимодействия” Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2024. № 4. С. 68-74.
   6. Studzinskii V., Fedorenko E., Klevtsov A. and Karaseov P. “Tunable formation of gold nanoparticles on polymer by keV ion beam irradiation” Radiation Effects & Defects in Solids 2024, Vol. 179, Nos. 1–2, pp. 25–32
   7. Стручков А.И., Карабешкин К.В., Карасев П.А., Титов А.И. Анализ параметров индивидуальных каскадов столкновений при облучении Ga2O3 атомарными и молекулярными ионами Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 57. № 9. С. 738-742.
   8. V.E. Pukha, A.A. Glukhov, A.A. Belmesov, E.N. Kabachkov, I.I. Khodos, M. Khadem, D.-E. Kim, P.A. Karaseov, “Corrosion-resistant nanostructured carbon-based coatings for applications in fuel cells based on bipolar plates”, Vacuum, 2023, 218, 112643 (1-12)
   9. К.П.Карасев, Д.А.Стрижкин, А.И.Титов, П.А.Карасев “МД моделирование процессов при облучении кремния ионами фуллерена С60 с энергиями 2 – 8 кэВ” Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2023. Т. 17 №1. С. 74-79
   10. П.А. Карасев, К.В. Карабешкин, А.И. Стручков, А.И. Печников, В.И. Николаев, В.Д. Андреева, А.И. Титов, “Накопление структурных нарушений при облучении α-Ga2O3 ионами P и PF4”, Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, вып. 9, с. 882-887.

04.02.2026 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

31.03.2026 - Диссертация принята к защите (протокол № 4)