| Ф.И.О. | Малышева Евгения Игоревна |
|---|---|
| Диссертация | Кандидатская диссертация на тему: СПИНОВЫЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР InGaAs/GaAs, СОДЕРЖАЩИХ СЛОИ РАЗБАВЛЕННОГО МАГНИТНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА |
| Диссертационный совет | 24.2.340.01 |
| Научная специальность | 1.3.11. - Физика полупроводников (физико-математические науки) |
| Дата защиты | 12.12.2016 |
| Статус | Присвоена степень кандидата наук |