| Ф.И.О. | Тарасова Елена Александровна |
|---|---|
| Диссертация | Кандидатская диссертация на тему: Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия |
| Диссертационный совет | 24.2.340.01 |
| Научная специальность | 2.2.2. - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств (физико-математические науки) |
| Дата защиты | 14.06.2017 |
| Статус | Присвоена степень кандидата наук |