Главная страница
Главная страница
Диссертационные советы
Диссертации на рассмотрении
Текущая работа диссоветов
Архив
Справочная информация по вопросам научной аттестации
Ф.И.О. Суродин Сергей Иванович
Диссертация Кандидатская диссертация на тему: Физико-химические особенности ионного синтеза систем с нанокристаллами GaN в матрицах Si, Si3N4 и SiO2 для применения в оптоэлектронике (19.81 Мб, загрузить)
Диссертационный совет Д 212.166.01
Научная специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (физико-математические науки)
Дата защиты 12.12.2018
Статус принята к защите
Автореферат Загрузить
Отзывы:
  1. Васильев Александр Леонидович, кандидат физико-математических наук, доцент, заведующий лабораторией электронной микроскопии КК НБИКС технологий НИЦ "Курчатовский институт" - отзыв
  2. Калинушкин Виктор Петрович, кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией кристаллических лазеров среднего ИК-диапазона отдела инфракрасной техники Института общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук - отзыв
  3. Шашкин Владимир Иванович, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий отделом технологии наноструктур и приборов Института физики микроструктур РАН; Дроздов Михаил Николаевич, кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Института физики микроструктур РАН (Институт физики микроструктур РАН - филиал федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИФМ РАН)) - отзыв
Объявление на сайте ВАК http://vak.ed.gov.ru/dis-details/?xPARAM=100033978:100
Ведущая организация Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук; ФГБУН ИПТМ РАН (отзыв)

Адрес: 142432, Московская обл, г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 6
телефон: +7 49652 44060
general@iptm.ru
http://www.iptm.ru

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. Eugene B. Yakimov, Paul S. Vergeles, Alexander Y. Polyakov, Han-Su Cho, Lee-Woon Jang, In-Hwan Lee.. Microcathodoluminescence spectra evolution for planar and nanopillar multi-quantum-well GaN-based structures as a function of electron irradiation dose. J. Vac. Sci. Technol. B, 32(1), 011207-1-6, 2014.
2. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, E.B. Yakimov, A.S. Usikov, H. Helava, K.D. Shcherbachev, A.V. Govorkov, Yu N. Makarov, In-Hwan Lee. Electrical, optical, and structural properties of GaN films prepared by hydride vapor phase epitaxy. Journal of Alloys and Compounds 617 (2014) 200–206.
3. Alexander Y. Polyakov, Eugene B. Yakimov, Nikolai B. Smirnov, Anatoliy V. Govorkov, Alexander S. Usikov, Heikki Helava, Yuri N. Makarov, and In-Hwan Lee. Structural defects responsible for excessive leakage current in Schottky diodes prepared on undoped n-GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy. J. Vac. Sci. Technol. B 32(5), 051212, 2014.
4. Т.В. Малин, А.М. Гилинский, В.Г. Мансуров, Д Ю. Протасов, А.К. Шестаков, Е.Б. Якимов, К.С. Журавлев. Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Журнал технической физики, 2015, том 85, вып. 4, 67-73.
5. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov,2 E. B. Yakimov, In-Hwan Lee, S. J. Pearton, Electrical, luminescent, and deep trap properties of Si doped n-GaN grown by pendeo epitaxy. J. Appl. Phys. 119, 015103 (2016).
6. Eugene B. Yakimov, Pavel S. Vergeles, Alexander Y. Polyakov, In-Hwan Lee, and Stephen J. Pearton. Radiation enhanced basal plane dislocation glide in GaN. Jpn. J. Appl. Phys. 55, 05FM03 (2016).
7. Eugene B. Yakimov. Diffusion length measurements in GaN. Jpn. J. Appl. Phys. 55, 05FH04. 2016.
8. In-Hwan Lee, Alexander Y. Polyakov, Nikolai B. Smirnov, Eugene B. Yakimov, Sergey A. Tarelkin, Andery V. Turutin, Ivan V. Shemerov, Stephen J. Pearton. Electron traps as major recombination centers in n-GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition. Appl. Phys. Express 9, 061002, 2016.
9. In-Hwan Lee, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, E. B. Yakimov, S. A. Tarelkin, A. V. Turutin, I. V. Shemerov, and S. J. Pearton. Studies of deep level centers determining the diffusion length in epitaxial layers and crystals of undoped n-GaN. J. Appl. Phys. 119, 205109, 2016.
10. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, E.B. Yakimov, S.A. Tarelkin, A.V. Turutin, I.V. Shemerov, S.J. Pearton, Kang-Bin Bae, In-Hwan Lee. Deep traps determining the non-radiative lifetime and defect band yellow luminescence in n-GaN. Journal of Alloys and Compounds 686 (2016) 1044-1052.
11. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, E. B. Yakimov, Han-Su Cho, Jong Hyeob Baek, A. V. Turutin, I. V. Shemerov, E. S. Kondratyev, and In-Hwan Lee. Deep Electron Traps Responsible for Higher Quantum Efficiency in Improved GaN/InGaN Light Emitting Diodes Embedded with SiO2 Nanoparticles. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 5 (10) Q274-Q277 (2016).
12. In-Hwan Lee, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, P. B. Lagov, R. A. Zinov'ev, E. B. Yakimov, K. D. Shcherbachev, and S. J. Pearton. Point defects controlling non-radiative recombination in GaN blue light emitting diodes: Insights from radiation damage experiments. J. Appl. Phys. 122, 115704 (2017).
13. Eugene B. Yakimov, Alexander Y. Polyakov, In-Hwan Lee, and Stephen J. Pearton. Recombination properties of dislocations in GaN. Journal of Applied Physics 123, 161543 (2018).
14. E. B. Yakimov, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, Jiancheng Yang, F. Ren, Gwangseok Yang, Jihyun Kim, S. J. Pearton. Diffusion length of non-equilibrium minority charge carriers in b-Ga2O3 measured by electron beam induced current. J. Appl. Phys. 123, 185704 (2018).
15. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, E. B. Yakimov, S. J. Pearton,Chaker Fares, Jiancheng Yang, Fan Ren, Jihyun Kim, P. B. Lagov, V. S. Stolbunov, A. Kochkova. Defects responsible for charge carrier removal and correlation with deep level introduction in irradiated b-Ga2O3. Appl. Phys. Lett. 113, 092102 (2018).

Организации, где выполнялась диссертация ННГУ им. Н.И. Лобачевского (в подразделениях: Научно-образовательный центр «Физика твердотельных наноструктур» и Научно-исследовательский физико-технический институт)
Место работы филиал ФГУП «Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики» «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»
Научный руководитель Николичев Дмитрий Евгеньевич, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского (отзыв)
Оппоненты
  1. Турищев Сергей Юрьевич, доктор физико-математических наук, доцент кафедры физики твёрдого тела и наноструктур Воронежского государственного университета (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.10 - физика полупроводников (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. X-ray Absorption Naer-Edge Structure Anomalous Behaviour in Structures with Buried Layers Containing Silicon Nanocrystals / В.А. Терехов, Д.И. Тетельбаум, Д.Е. Спирин, К.Н. Панков, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.В. Ершов, С.Ю. Турищев // Journal of Synchrotron Radiation .— 2014 .— Vol. 21. - P. 209-214.
    2. Фотоэмиссионная электронная микроскопия массивов субмикронных столбиков никеля в матрице диоксида кремния / С.Ю. Турищев, Е.В. Паринова, Ф. Кронаст, Р. Овсянников, Н.В. Малащенок, Е.А. Стрельцов, Д.К. Иванов, А.К. Федотов // Физика твердого тела .— 2014 .— Т. 56, вып. 9. - С. 1855-1860.
    3. XPS-исследования межатомных взаимодействий в поверхностном слое многослойных наноструктур (Co45Fe45Zr10/A-Si)40 и (Co45Fe45Zr10/SiO2)32 / Э.П. Домашевская, А.В. Чернышев, С.Ю.Турищев, Ю.Е. калинин, А.В. Ситникова, Д.Е. Марченко // Физика твердого тела .— 2014 .— Т. 56, № 11- С. 2219-2230.
    4. Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al2O3/SiOx/Al2O3/.../Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции / С.Ю. Турищев, В.А. Терехов, Д.А. Коюда, Д.Е. Спирин, Е.В. Паринова, Д.Н. Нестеров, Д.А. Грачев, И.А. Карабанова, А.В. Ершов, А.И. Машин, Э.П. Домашевская // Физика и техника полупроводников .— 2015 .— Т.49, вып. 3. - С. 421-425.
    5. Исследование поверхностных дефектов в нитевидных кристаллах SnO2 методами XANES и XPS / О.А. Чувенкова, Э.П. Домашевская, С.В. Рябцев, Ю.А. Юраков, А.Е. Попов, Д.А. Коюда, Д.Н. Нестеров, Д.Е. Спирин, Р.Ю. Овсянников, С.Ю. Турищев // Физика твердого тела .— 2015 .— Т. 57, вып. 1. - С. 145-152.
    6. Особенности атомного и электронного строения нитевидного кремния, сформированного на подложках с различным удельным сопротивлением по данным ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии / С.Ю. Турищев, В.А. Терехов, Д.Н. Нестеров, К.Г. Колтыгина, В.А. Сиваков, Э.П. Домашевская // Письма в Журнал технической физики .— 2015 .— Т. 41, вып. 7. - С. 81-88.
    7. The electronic structure peculiarities of a strained silicon layer insilicon-on-insulator: Experimental and theoretical data / V.A. Terekhov, D.N. Nesterov, E.P. Domashevskaya, E.V. Geraskina M.D. Manyakin,S.I. Kurganskii, G.N. Kamayev, A.H. Antonenko, S.Yu. Turishchev // Applied Surface Science.— 2015.— Vol. 382. - P. 331-335.
    8. Особенности электронного строения и фазового состава аморфных пленок композитов (SiO2)x (a-Si : H)x-1 по данным рентгеноспектральных исследований / В.А. Терехов, Е.В. Паринова, Э.П. Домашевская, П.В. Середин, А.С. Садчиков, Е.И. Теруков, Ю.К. Ундалов, Б.В. Сеньковский, С.Ю. Турищев // Письма в Журнал технической физики .— 2015 .— Т. 41, вып. 20. - С. 82-88.
    9. A novel approach to the electronic structure and surface composition investigations of tin-oxygen system materials by means of X-ray absorption spectroscopy combined with ab initio calculations / M.D. Manyakin, S.I. Kurganskii, O.I. Dubrovskii, O.A. Chuvenkova, E.P. Domashevskaya, S.V. Ryabtsev, R. Ovsyannikov, S.Yu. Turishchev // Computational Materials Science.— 2016.— Vol. 121. - P. 119-123.
    10. Электрофизические и оптические свойства оксидных нанослоев, полученных термическим окислением металлического олова / С.В. Рябцев, О.А. Чувенкова, С. В. Канныкин, А.Е. Попов, Н.С. Рябцева, С.С. Воищев, С.Ю. Турищев, Э.П. Домашевская // Физика и техника полупроводников .— Санкт-Петербург, 2016 .— Т. 50, вып. 2. - С. 180-184.
    11. Межатомные взаимодействия на интерфейсах многослойных наноструктур (Co45Fe45Zr10/a-Si)40 и (Co45Fe45Zr10/SiO2)32 / Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, С.Ю. Турищев, Д.Е. Спирин, А.В. Чернышев, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников // Физика твердого тела .— Санкт-Петербург, 2016 .— Т. 58, № 5. - С. 991-999.
    12. Электронное строение и состав поверхностных слоев многослойных нанопериодических структур a-Si/ZrO2 и a-SiOx/ZrO2 по данным синхротронных исследований / С.Ю. Турищев, Д.А. Коюда, В.А. Терехов, Е.В. Паринова, Д.Н. Нестеров, Д.А. Грачев, И.А. Карабанова, А.В. Ершов, А.И. Машин, Э.П. Домашевская // Конденсированные среды и межфазные границы .— Воронеж, 2016 .— Т. 18, № 4. - С. 558-567.
    13. Электронное строение и субструктура эпитаксиальных нанослоев твердого раствора кремний-олово на кремнии по данным синхротронных исследований / С.Ю. Турищев, В.А. Терехов, А.А. Тонких, Н.Д. Захаров, А.В. Анисимов, О.А. Чувенкова, Ю.А. Юраков, Е.В. Паринова, Д.А. Коюда, Б.В. Сеньковский // Конденсированные среды и межфазные границы .— Воронеж, 2016 .— Т. 18, № 2. - С. 265-274.
    14. Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах a-SiOx по результатам синхротронных исследований / С.Ю. Турищев, В.А. Терехов, Д.А. Коюда, Д.Е. Спирин, Е.В. Паринова, Д.Н. Нестеров, Д.А. Грачев, И.А. Карабанова, А.В. Ершов, А.И. Машин, Э.П. Домашевская // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— Т.51, вып. 3. - С. 363-366.
    15. Synchrotron studies of top-down grown silicon nanowires / S.Yu. Turishchev, E.V. Parinova, D.N. Nesterov, D.A. Koyuda, V. Sivakov, A. Schleusener, V.A. Terekhov // Results In Physics.— 2018.— Vol. 9. - P. 1494-1496.

  2. Ануфриев Юрий Владимирович, кандидат технических наук, старший научный сотрудник отдела разработок и исследований микро- и наносистем Института нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (технические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    Ю.К. Алешин, Д.М. Ксенофонтов, М.А. Чоба, Ануфриев Ю.В., В.Н. Платонов. Анализ изменения акустических характеристик аморфных металлических покрытий // Ученые записки физического факультета Московского университета, 5, 145306 (2014).
    2. Э.Н. Воронков, К.Н. Егармин, Ю.В. Ануфриев. Алгоритм программирования наноразмерных ячеек фазопеременной памяти для повышения их информационной надежности // Журнал Нано- и микросистемная техника ISSN 1813-8586 №3, 2015. (с. 3-9).
    3. С.М. Сальников, А.И. Попов, Ю.В. Ануфриев. Условия устойчивого переключения в ячейках памяти на фазовых переходах // Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, №4, сс. 509-514.
    4. T. Yu. Kiseleva, Y.V. Anufriev, S. I. Zholudev, A.A. Novakova, T.S. Gendler e.t.c. Magnetodeformational Anisotropy of FeGa/PU Hybrid Nanocomposite Via Particle Concentration And Spatial Orientation// Solid State Phenomena Vols 233-234 (2015) pp.607-610.
    5. Е.И. Теруков, Э.Н. Воронков, Ю.В. Ануфриев. Бета-электрические элементы из аморфного кремния // Журнал технической физики, 2016, том 86, вып. 5, с.102-106.
    6. А.М. Гуляев, О.Б. Сарач, В.А. Котов, А.А. Ванин, Ю.В. Ануфриев, А.В. Коновалов. Резистивные газовые сенсоры с повышенной чувствительностью к спиртам на основе нанокристаллических пленок окислов олова с аддитивами тербия и сурьмы // Журнал «Измерительная техника»,2017, №7, с.34-36.
    7. A.E. Ieshkin, D.S. Kireev, Yu A. Ermakov, A.S. Trifonov, D.E. Presnov, A.V. Garshev, Yu V. Anufriev, I.G. Prokhorova, V.A. Krupenin, V.S. Chernysh. The quantitative analysis of silicon carbide surface smoothing by Ar and Xe cluster ions // Nuclear Inst, and Methods in Physics Research B 421 (2018), p.27-31.
    8. Ю.В. Ануфриев, Е.В. Зенова, Э.Н. Воронков. Оценка перспективы применения бета-электрических батарей в микро-мощных автономных устройствах // Журнал “Нано и микросистемная техника” (Nano- i mikrosistemnaya tekhnika, ISSN 1813-8586) №6, 2018. с. 356 - 367

История

20.09.2018 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

10.10.2018 - Диссертация принята к защите (протокол № 6)

принята к защите