Главная страница
Главная страница
Диссертационные советы
Диссертации на рассмотрении
Текущая работа диссоветов
Архив
Справочная информация по вопросам научной аттестации
Ф.И.О. Королев Дмитрий Сергеевич
Диссертация Кандидатская диссертация на тему: Влияние примесей на дислокационную люминесценцию в кремнии, имплантированном ионами Si+ (4.28 Мб, загрузить)
Диссертационный совет Д 212.166.01
Научная специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (физико-математические науки)
Дата защиты 12.12.2018
Статус принята к защите
Автореферат Загрузить
Отзывы:
  1. Бунтов Евгений Александрович, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физических методов и приборов контроля качества Физико-технологического института Уральского федерального университета имени первого Президента России Б.Н. Ельцина - отзыв
  2. Итальянцев Александр Георгиевич,доктор физико-математических наук, начальник отдела функциональной электроники Акционерного Общества «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (АО "НИИМЭ") - отзыв
  3. Кведер Виталий Владимирович, доктор-физико-математических наук, член-корреспондент РАН, профессор, главный научный сотрудник Института физики твердого тела РАН - отзыв
  4. Соболев Николай Алексеевич, доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник, ведущий научный сотрудник лаборатории Физики полупроводниковых приборов Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН - отзыв
  5. Тысченко Ида Евгеньевна, доктор физико-математических наук, доцент, ведущий научный сотрудник лаборатории нанодиагностики и нанолитографии Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН - отзыв
Объявление на сайте ВАК http://vak.ed.gov.ru/dis-details/?xPARAM=100033984:100
Ведущая организация Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр «Казанский научный центр Российской академии наук»; ФИЦ КазНЦ РАН (отзыв)

Адрес: 420111, г. Казань, ул. Лобачевского, 2/31
+7(843)292-75-97
presidium@knc.ru
www.knc.ru

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. Н.К. Андреев, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Т.Н. Львова. Нанотехнологии и микроэлектронные устройства // Коллективная монография «Наноматериалы и нанотехнологии в энергетике», с. 201-208, под ред. Э.В. Шамсутдинова и О.С. Зуевой, в 2 т., Т.II, Казань: Изд. КГЭУ, 2014, 376 с.
2. Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Г.Д. Ивлев, С.Л. Прокопьев. Оптическая диагностика лазерно-индуцированных фазовых превращений в тонких пленках германия на кремнии, сапфире и кварце // ЖТФ, Т.85(№3), с.89-95 (2015)
3. Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Н.М. Лядов, В.А. Шустов, К.Н. Галкин, Н.Г. Галкин, И.М. Чернев, Г.Д. Ивлев, С.Л. Прокопьев, П.И. Гайдук. Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: Структура и оптические свойства // ФТП, Т.49(№6), с.746-752 (2015)
4. Р.А. Назипов, А.В. Пятаев, А.А. Игнатьев, Ю.М. Выжимов, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, В.А. Шустов. Влияние мощного импульсного ионного пучка на аморфный сплав Fe77Cu1Nb3Si13B6: Мессбауэровские и рентгеноструктурные исследования // Физика и химия обработки материалов, №6, С.5-15 (2015).
5. H.A. Novikov, R.M. Bayazitov, R.I. Batalov, I.A. Faizrakhmanov, G.D. Ivlev, S.L. Prokop'ev. Experimental Study and Simulation of the Structure-Phase Transitions in Deposited Ge Layers During Pulsed Laser Annealing // Solid State Phenom., Vol. 249, pp. 24-29 (2016).
6. R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, I.A. Faizrakhmanov, N.M. Lyadov, V.A. Shustov and G.D. Ivlev. Pulsed laser annealing of highly doped Ge:Sb layers deposited on different substrates // J. Phys. D: Appl. Phys. 49 (2016) 395102 (7pp).
7. Р.И. Баталов, В.В. Воробьев, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, Р.М. Баязитов, Н.М. Лядов, Ю.Н. Осин, А.Л. Степанов. Формирование композиционного материала на основе GeSi с наночастицами Ag методом ионной имплантации // ЖТФ, Т.86(12), С.104-110 (2016).
8. Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Г.Д. Ивлев. Формирование напряженных и сильно легированных слоев германия для микро- и оптоэлектроники // Наноматериалы и наноструктуры XXI век, Изд. Радиотехника, Т.7, №4, с.32-38 (2016).
9. R.I. Batalov, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, V.V. Vorobev, Yu.N. Osin, G.D. Ivlev, A.L. Stepanov Pulsed laser annealing of high-dose Ag+-ion implanted Si layer // J. Phys. D: Appl. Phys., v.51, p.015109(5pp.) (2018).
10. R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, H.A. Novikov, I.A. Faizrakhmanov, V.A. Shustov, G. D. Ivlev. Nanosecond-Pulse Annealing of Heavily Doped Ge:Sb Layers on Ge Substrates // Russ. Microelectr., V.47(5), P.354-363 (2018).
11. Р.И. Баталов, В.В. Воробьев, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, Д.А. Бизяев, А.А. Бухараев, Р.М. Баязитов, Ю.Н. Осин, Г.Д. Ивлев, А.Л. Степанов. Воздействие импульсного лазерного излучения на слои Si с высокой дозой имплантированных ионов Ag+ // Оптика и спектр., Т.125(10), С.549-555 (2018).

Организации, где выполнялась диссертация Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Место работы Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ ННГУ), лаборатория физики и технологии тонких пленок отдела твердотельной электроники и оптоэлектро
Научный руководитель Тетельбаум Давид Исаакович, доктор физико-математических наук, профессор, ведущий научный сотрудник лаборатории физики и технологии тонких пленок НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского (отзыв)
Оппоненты
  1. Герасименко Николай Николаевич, доктор физико-математических наук, профессор, федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники», начальник научно-исследовательской лаборатории радиационных методов, технологий и анализа (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1) Ion Synthesis: Si-Ge Quantum Dots / N.N. Gerasimenko, N.S. Balakleyskiy, A.D. Volokhovskiy, D.I. Smirnov, O.A. Zaporozhan // Semiconductors. – 2018. – Vol.52,№5. – P.625-627.
    2) Учет особенностей изменения свойств материала в технологии кремниевых наноструктур / Н.Н. Герасименко, А.Д. Волоховский, О.А. Запорожан // Наноиндустрия. – 2017. – №4. – С. 84-103.
    3) Influence of size effects on the radiation stability of nanocrystalline materials / N.N. Gerasimenko, D.I. Smirnov, N.A. Medetov, O.A. Zaporozhan // Semiconductors. – 2014. – Vol.48, N.13. – P.1751–1756.
    4) Nanoporosity of Si (100) Bars / S.N. Novikov, S.P. Timoshenkov, V.S. Minaev, E.P. Goryunova, N.N. Gerasimenko, D.I. Smirnov //
    Russian Journal of Physical Chemistry A. - 2016. - Vol. 90, N. 9. - P. 1869–1874.
    5) Structure and luminescence of silicon irradiated by protons / N.N. Gerasimenko, A.N. Mikhaylov, V.V. Kozlovskii, O.A. Zaporozhan, N.A. Medetov, D.I. Smirnov, D.A. Pavlov, A.I. Bobrov // Inorganic Materials: Applied Research. – 2014. – V.5, No.2. – P.133-137.
    6) The role of thermal spikes in radiation stability of metal nanowires under exposure to continuous and powerful pulsed ion beams / S.A. Bedin, V.V. Ovchinnikov, N.V. Gushchina, F.F. Makhin’Ko, G.E. Remnev, S.K. Pavlov, N.N. Gerasimenko, D.L. Zagorskiy // High Temperature Material Processes. - 2017. - Vol.21,N. 2. - P.91-107.
    7) Magneto-optical, Structural and Surface Properties of RIB Sputtered (Bi,Ga)-substituted DyIG films / A.N. Shaposhnikov, A.R. Prokopov, V.N. Berzhansky, A.V. Karavainikov, Yu.E. Vysokikh, N.N. Gerasimenko, D.I. Smirnov // Materials Research Bulletin. – 2017. –Vol. 95. – P. 115-122.
    8) Получение наночастиц кремния для использования в солнечных элементах / Б.Г. Грибов, К.В. Зиновьев, О.Н. Калашник, Н.Н. Герасименко, Д.И. Смирнов, В.Н. Суханов, Н.Н. Кононов, С.Г. Дорофеев // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2016. - Т. 21, № 4. - С. 316-324.

  2. Карасев Платон Александрович, доктор физико-математических наук, федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого», доцент кафедры физической электроники Института физики нанотехнологий и телекоммуникаций (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.01.04 - физическая электроника (физико-математические науки), 01.04.10 - физика полупроводников (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Карасёв, П. А. Нелинейный оптический эффект при облучении GaN малыми кластерными ионами / П. А. Карасёв, К. В. Карабешкин, А. И. Титов, В. Б. Шилов, Г. М. Ермолаева, В. Г. Маслов, А. О. Орлова // Физика и техника полупроводников. – 2014. – Т. 48, №. 4 – С. 462-466.
    2. Ullah, M. W. Defect clustering in irradiation of GaN by single and molecular ions / M. W. Ullah, A. Kuronen, F. Djurabekova, K. Nordlund, A. I. Titov, P. Karaseov // Vacuum. – 2014. – Vol. 105. – P. 88-90.
    3. Karaseov, P. A. Experimental study and MD simulation of damage formation in GaN under atomic and molecular ion irradiation / P. A. Karaseov, K. V. Karabeshkin, E. E. Mongo, A. I. Titov, M. W. Ullah, A. Kuronen, F. Djurabekova, K. Nordlund // Vacuum. – 2016. – Vol. 129. – P. 166-169.
    4. Карабешкин, К. В. Влияние повышения плотности каскадов столкновений на эффективность генерации первичных смещений при ионной бомбардировке Si / К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов // Физика и техника полупроводников. – 2016. – Т. 50, №8 – С. 1009-1015
    5. Соболев, Н.А., Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, К.В. Карабешкин, П.А. Карасев, А.И. Титов // Письма в ЖТФ. – 2017. – т. 43, вып. 1. – С. 14-17
    6. V.P. Popov, V.P., Ranges of 10 - 350 keV H and H2 ions in (111) diamond, V.P. Popov, M.A. Ilnitskii, G.P. Pokhil, A.I. Titov, P.A. Karaseov, K.V. Karabeshkin, Yu.N. Pal’yanov, S. Rubanov // Nucl Instr. Meth Phys Res. B – 2017. – Vol.406, Part B, – Pages 634-637
    7. Karaseov, P., Single and molecular ion irradiation-induced effects in GaN: Experiment and cumulative MD simulations, P. Karaseov, K. Karabeshkin, A. Titov, M.W. Ullah, F. Djurabekova, A. Kuronen, K. Nordlund, G. Ermolaeva, V. Shilov, Journal of Physics D: Applied Physics. – 2017. – Vol. 50. – Pages 505110-505119.
    8. A. Kumar, A., In-situ current transport and microstructural evolution in GaN Schottky diodes and epilayers exposed to low earth orbit equivalent irradiation fluences, A. Kumar, R. Singh, P. Kumar, U. B. Singh, P.A. Karaseov, A.I. Titov, K. Asokan, and D. Kanjilal // J Appl. Phys. – 2018., Vol. 123. – Pages 161539 – 161543
    9. M. V. Mishin, M.V., The mechanism of charge carrier generation at the ТiO2 - n-Si heterojunction activated by gold nanoparticles. M.V. Mishin, A.A. Vorobyev, A.S. Kondrateva, E.Y. Koroleva, P.A. Karaseov, P.G. Bespalova, A.L. Shakhmin, A.V. Glukhovskoy, M.C. Wurz, A.V. Filimonov. // Semiconductor Science and Technology. – 2018., Vol. 33. – Pages 075014– 075020.

История

24.09.2018 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

10.10.2018 - Диссертация принята к защите (протокол № 7)

принята к защите