Главная страница
Главная страница
Диссертационные советы
Диссертации на рассмотрении
Текущая работа диссоветов
Архив
Справочная информация по вопросам научной аттестации
Ф.И.О. Коряжкина Мария Николаевна
Диссертация Кандидатская диссертация на тему: Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония (3.54 Мб, загрузить)
Диссертационный совет Д 212.166.01
Научная специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (физико-математические науки)
Дата защиты 26.12.2018
Статус принята к защите
Автореферат Загрузить
Отзывы:
  1. Бахтизин Рауф Загидович, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физической электроники и нанофизики Башкирского государственного университета - отзыв
  2. Сафонов Алексей Владимирович, кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник научно-исследовательского отдела разработки цифровых и радиочастотных микросхем филиала федерального государственного унитарного предприятия "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" - отзыв
  3. Семенов Михаил Борисович, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой "Физика" факультета приборостроения, информационных технологий и электроники Пензенского государственного университета - отзыв
  4. Щаников Сергей Андреевич, кандидат технических наук, доцент, декан факультета информационных технологий Муромского института (филиала) федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" - отзыв
Объявление на сайте ВАК http://vak.ed.gov.ru/dis-details/?xPARAM=100035583:100
Ведущая организация Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») (отзыв)

Адрес: Санкт-Петербург, 197376, ул. Профессора Попова, д.5,
Телефон: (812) 346 44 87
Факс: (812) 346 27 58
e-mail: eltech@eltech.ru
http://www.eltech.ru

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. N. Andreeva, A.Petrov, A.Ivanov. Multilevel resistive switching in TiO2/Al2O3 bilayers at low temperature. AIP Advances 8(2):025208, (2018). DOI 10.1063/1.5019570.
2. N. Andreeva, A. Petrov. Ferroelectric tunnel junctions: physics, technology, applications. Journal of Nano- and Microsystem technique, 4:195-208 (2018). DOI: 10.17587/nmst.20.195-208.
3. S. Kunitsyn, N.Andreeva, A.Petrov. Bipolar resistive switching in Al2O3/TiO2 structure at low temperature. 2018 IEEE Conference of Russian Young Researches in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), 426-460 (2018). 10.1109/EIConRus.2018.8317125
4. A. A. Petrov, L. G. Alekseeva, A. S. Ivanov, V. V. Luchinin,A. A. Romanov, T. Chikyow, T. Nabatame. On the way to a neuromorphic memristor computer platform. NanoIndustry, 63, 1 (2016).
5. L. Alekseeva, T. Nabatame, T. Chikyow, A. Petrov. Resistive switching characteristics in memristors with Al2O3/TiO2 and TiO2/Al2O3 bilayer. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 08PB02 (2016).
6. L. Alekseeva, A. Petrov, D. Chigirev. Bipolar resistive switching in PbO nanoscale thin films. Proceedings of the 2016 IEEE North West Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference, EIConRusNW 2016, статья № 7448106, pp. 16-18. (2016). DOI: 10.1109/EIConRusNW.2016.7448106.

Организации, где выполнялась диссертация ННГУ им. Н.И. Лобачевского, кафедра электроники твердого тела физического факультета
Место работы ННГУ им. Н.И. Лобачевского, лаборатория стохастических и мультистабильных систем НОЦ Физика твердотельных наноструктур
Научный руководитель Горшков Олег Николаевич, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры электроники твердого тела физического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского (отзыв)
Оппоненты
  1. Итальянцев Александр Георгиевич,доктор физико-математических наук, начальник отдела функциональной электроники Акционерного Общества «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (АО "НИИМЭ"), г. Зеленоград (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    05.27.01 – Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Эффект переключения электрической проводимости в структурах металл-диэлектрик-металл на основе нестехиометрического оксида кремния / П.С. Захаров, А.Г. Итальянцев // Труды МФТИ. – 2015.– Том 7, №2. – С. 113-118.
    2. Математическое моделирование распределения температуры в ячейке резистивной памяти на основе оксида кремния / П.С. Захаров, А.Г. Итальянцев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. – 2015. – № 4 (160). – С. 69-72.
    3. Эффект резистивного переключения в структурах памяти на основе кремния / П.С. Захаров, А.Г. Итальянцев // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. – 2015. – № 3 (159). – С. 5-10.
    4. Современные изделия пьезоэлектроники: новые возможности / А. Итальянцев, Ю. Шульга, Д. Чашин, О. Шарпинский // Электроника: Наука, технология, бизнес. – 2015. – № 5 (145). – С. 96-103.
    5. Твердофазный тримминг при формировании структур кремниевой микроэлектроники / В.А. Четвериков, А.Г. Итальянцев, Г.В. Баранов // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. – 2016. – № 4 (164). – С. 20-24.
    6. Модель эффекта переключения электрической проводимости в структурах резистивной памяти на основе нестехиометрического оксида кремния / П.С. Захаров, А.Г. Итальянцев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 4. – С. 309-315.
    7. Частотное ограничение интегрального фазового модулятора на основе кремниевого p-i-n диода в субнаносекундном импульсном режиме / М.Э. Макаров, А.Г. Итальянцев, М.Ю. Барабаненков // Электроника и микроэлектроника СВЧ. – 2017. – Т. 1, № 1 (1). – С. 602-606.
    8. Особенности перераспределения атомов As в Si при ионной имплантации структур SiO2-Si / Г.В. Баранов, А.Г. Итальянцев, Ш.Г. Песков // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. – 2017. – № 2 (166). – С. 4-10.

  2. Зенкевич Андрей Владимирович, кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники, Национальный исследовательский университет «Московский физико-технический институт» (Московская обл., г. Долгопрудный) (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.07 - физика конденсированного состояния (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. A. Chouprik, A. Chernikova, A. Markeev, V. Mikheev, D. Negrov, M. Spiridonov, S. Zarubin, A. Zenkevich “Electron transport across ultrathin ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 films on Si”, Microel. Eng., 178 250–253 (2017). DOI: 10.1016/j.mee.2017.05.028
    2. D.V. Negrov, I.M. Karandashev, V.V. Shakirov, Yu.A. Matveyev, W.L. Dunin-Barkowski and A.V. Zenkevich, “A Plausible Memristor Implementation of Deep Learning Neural Networks”, Neurocomputing, 237 193-199 (2017). DOI:10.1016/j.neucom.2016.10.061.
    3. Negrov D.V., Kirtaev R.V., Kiseleva I.V., Kondratyuk E.V., Shadrin A.V., Zenkevich A.V., Orlov O.M., Gornev, E.S., Krasnikov, G.Y., “Integration of functional elements of resistive nonvolative memory with 1T-1R topology”, Russian Microelectronics 45 383-395 (2016).
    4. Yu. Matveyev, R. Kirtaev, A. Fetisova, S. Zakharchenko, D. Negrov and A. Zenkevich, “Crossbar Nanoscale HfO2-Based Electronic Synapses”, Nanoscale Res. Lett. 11 147 (2016).
    5. Kirtaev R.V., Yu.A. Matveyev, A. Fetisova, D.V. Negrov, A.V. Zenkevich, “Combined optical/e-beam lithography approach for the development of HfO2-based memristors in crossbars” 2015 International Conference on Memristive Systems, MEMRISYS 2015.
    6. K. V. Egorov, R. V. Kirtaev, Yu. Yu. Lebedinskii, A. M. Markeev, Yu. A. Matveyev, O. M. Orlov, A. V. Zablotskiy and A. V. Zenkevich, “Complementary and bipolar regimes of resistive switching in TiN/HfO2/TiN stacks grown by atomic-layer deposition”, Phys. stat. sol. A 212 809 (2015).
    7. Yu. Matveyev, K. Egorov, A. Markeev, and A. Zenkevich, “Resistive switching and synaptic properties of fully atomic layer deposition grown TiN/HfO2/TiN devices”, J. Appl. Phys. 117 044901 (2015).
    8. Yu.А. Matveyev, A.M. Markeev, Yu.Yu. Lebedinskii, A.А. Chouprik, K.V. Egorov, W. Drube, A.V. Zenkevich, Resistive switching effect in HfxAl1−xOy with a graded Al depth profile studied by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Thin Solid Films, 563 20 (2014).
    9. A. Zenkevich, Y. Matveyev, M. Minnekaev, Yu. Lebedinskii, S. Thiess, W. Drube, “Electronic and electrical properties of functional interfaces studied by hard X-ray photoemission”, J. Electron Spectr. Rel. Phenom. 190 302 (2013).
    10. A. Markeev, A. Chouprik, K. Egorov, Yu. Lebedinskii, A. Zenkevich, O. Orlov, “Multilevel resistive switching in ternary HfxAl1-xOy oxide with graded Al depth profile” Microelectr. Eng. 109 342 (2013).
    11. A. Zenkevich, M. Minnekaev, Yu. Matveyev, Yu. Lebedinskii, K. Bulakh,A. Chouprik, A. Baturin, K. Maksimova, S. Thiess, and W. Drube, “Electronic band alignment and electron transport in Cr/BaTiO3/Pt ferroelectric tunnel junctions” Appl. Phys. Lett. 102 062907 (2013).

История

19.10.2018 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

24.10.2018 - Диссертация принята к защите (протокол № 11)

принята к защите