Главная страница
Главная страница
Диссертационные советы
Текущая работа диссоветов
Архив
Справочная информация по вопросам научной аттестации
Ф.И.О. Дегтярев Владимир Евгеньевич
Диссертация Кандидатская диссертация на тему: Численное моделирование энергетических и спиновых характеристик квантово-размерных гетероструктур различной геометрии на основе полупроводников AIIIBV (5.82 Мб, загрузить)
Диссертационный совет Д 212.166.01
Научная специальность 01.04.10 - Физика полупроводников (физико-математические науки)
Дата защиты 20.03.2019
Статус Присвоена степень кандидата наук
Автореферат Загрузить
Отзывы:
  1. Барабаненков Михаил Юрьевич, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник ФГБУН Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) - отзыв
  2. Беляков Владимир Алексеевич, кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник научно-производственного отделения "Твердотельные приборы и модули" Акционерного общества "Научно-производственное предприятие "Салют" (АО "НПП Салют") - отзыв
  3. Жолудев Максим Сергеевич, кандидат физико-математических наук, научный сотрудник отдела физики полупроводников Института физики микроструктур РАН - филиала ФГБНУ "ФИЦ ИПФ РАН" - отзыв
  4. Пузанов Александр Сергеевич, кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник научно-исследовательского отдела разработки приборов и комплексов спутниковой навигации филиала ФГУП "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" - отзыв
  5. Степанов Антон Викторович, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры математики, физики и информационных технологий ФГБОУ ВО "Чувашская государственная сельскохозяйственная академия" - отзыв
Объявление на сайте ВАК http://vak.ed.gov.ru/dis-details?xPARAM=100037127:100
Ведущая организация федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»; СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (отзыв)

Адрес: 197376, Россия, Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, дом 5
+7 (812) 346-44-87
info@etu.ru
https://etu.ru/ru/universitet/

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями / Г. Е. Яковлев, М. В. Дорохин, В. И. Зубков, А. Л. Дудин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т. 52, № 8. – С. 873–880.
2. The control of electrophysical properties of GaAs pHEMT heterostructures / G. Yakovlev, M. Mironova, V. Zubkov, A. Dudin // Journal of Physics: Conference Series. – 2018. – Vol. 1038. – P. 012034-1–012034-7.
3. Yakovlev, G. ECV profiling of GaAs and GaN HEMT heterostructures / G. Yakovlev, V. Zubkov // Journal of Physics: Conference Series. – 2018. – Vol. 993. – P. 012038-1–012038-6.
4. Shestakova, L. M. Measuring the distribution of the charge carrier concentration in delta-doped layers based on diamond / L. M. Shestakova, V. I. Zubkov // Journal of Physics: Conference Series. – 2018. – Vol. 993. – P. 012005-1–012005-3.
5. Self-Consistent Simulation of GaAs/InGaAs/AlGaAs Heterostructures Photoluminescence Spectra and Its Application to pHEMT Structures Diagnostics / M. S. Mironova, V. I. Zubkov, A. L. Dudin, G. F. Glinskii // Semiconductors. – 2018. – Vol. 52, No 4. – P. 507–510.
6. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции / М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, А. В. Рыков, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, В. И. Зубков, Д. C. Фролов, Г. Е. Яковлев, А. В. Кудрин // Журнал технической физики. – 2017. – Т. 87, № 10. – С. 1539–1544.
7. Shestakova, L. Electrochemical capacitance–voltage measurements and modeling of GaAs nanostructures with delta-doped layers / L. Shestakova, G. Yakovlev, V. Zubkov // Journal of Physics: Conference Series. – 2017. – Vol. 816. – P. 012022-1–012022-4.
8. Frolov, D. S. Automated instrumentation for nonequilibrium capacitance–voltage measurements at a semiconductor–electrolyte interface / D. S. Frolov, V. I. Zubkov // Instruments and Experimental Techniques. – 2017. – Vol. 60, No 1. – P. 119–121.
9. Frolov, D. S. Frequency dispersion of capacitance–voltage characteristics in wide bandgap semiconductor-electrolyte junctions / D. S. Frolov, V. I. Zubkov // Semiconductor Science and Technology. – 2016. – Vol. 31, No 12. – 125031.
10. Yakovlev, G. Investigation of delta-doped pHEMT InGaAs/GaAs/AlGaAs structures by the electrochemical capacitance-voltage technique / G. Yakovlev, D. Frolov, V. Zubkov // Journal of Physics: Conference Series. – 2016. – Vol. 690. – P. 012015-1–012015-4.
11. Frolov, D. Estimation of doping density in low doped n-InAs by electrolyte-based capacitance-voltage measurements in the deep depletion mode / D. Frolov, V. Zubkov // Journal of Physics: Conference Series. – 2016. – Vol. 690. – P. 012001-1–012001-4.
12. Развитие неразрушающего метода диагностики pHEMT структур с квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs на основе анализа спектров фотолюминесценции / М. С. Миронова, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, Г. Ф. Глинский // Электроника и микроэлектроника СВЧ. – 2016. – Т. 1, № 1. – С. 27–31.
13. Glinskii, G. F. An 8-band Kane model for quantum-sized heterostructures based on cubic semiconductors A3B5 / G. F. Glinskii, M. S. Mironova // Journal of Physics: Conference Series. – Vol. 572. – 2014. – P. 012052-1–012052-6.
14. Determination of InSb/AlInSb quantum well energy spectrum / M. S. Mironova, O. S. Komkov, D. D. Firsov, G. F. Glinskii // Journal of Physics: Conference Series. – 2014. – Vol. 541. – P. 012085-1–012085-5.
15. Глинский, Г. Ф. Эффективные гамильтонианы для гетероструктур на основе прямозонных полупроводников AIIIBV. Kp-теория возмущения и метод инвариантов / Г. Ф. Глинский, М. С. Миронова // Физика и техника полупроводников. – 2014. – Т. 48, № 10. – С. 1359–1369.

Организации, где выполнялась диссертация федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского», кафедра электроники твердого тела физического факультета
Место работы АО "Интел А/О"
Научный руководитель Хазанова Софья Владиславовна, кандидат физико-математических наук, федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского», кафедра электроники твердого тела физического факультета, доцент (отзыв)
Оппоненты
  1. Рожанский Игорь Владимирович, доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник сектора теории оптических и электрических явлений в полупроводниках Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.10 – физика полупроводников (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Dynamic spin injection into a quantum well coupled to a spin-split bound state / N. S. Maslova, I. V. Rozhansky, V. N. Mantsevich, P. I. Arseyev, N. S. Averkiev, E. Lähderanta // Physical Review B. – 2018. – Vol. 97, No 19. – P. 195445-1–195445-6.

    2. Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем / К. С. Денисов, И. В. Рожанский, Н. С. Аверкиев, E. Lähderanta // Физика и техника полупроводников. – 2017. – Т. 51, № 1. – C. 45–50.

    3. Rozhansky, I.V. Resonant tunneling between two-dimensional layers accounting for spin-orbit interaction / I. V. Rozhansky, N. S. Averkiev, E. Lähderanta // Physical Review B. – 2016. –Vol. 93, No 19. – P. 195405-1–195405-7.

    4. Magnetooptical study of Zeeman effect in Mn modulation-doped InAs/InGaAs/InAlAs quantum well structures / Y. V. Terent`ev, S. N. Danilov, H. Plank, J. Loher, D. Schuh, D. Bougeard, D. Weiss, M. V. Durnev, S. A. Tarasenko, I. V. Rozhansky, S. V. Ivanov, D. R. Yakovlev, S. D. Ganichev // Journal of Applied Physics. – 2015. – Vol. 118, No 11. – P. 113906-1–113906-7.

    5. Spin-dependent tunneling in semiconductor heterostructures with a magnetic layer / I. V. Rozhansky, K. S. Denisov, N. S. Averkiev, I. A. Akimov, E. Lähderanta // Physical Review B. – 2015. – Vol. 92, No 12. – P. 125428-1–125428-5.

    6. Resonant indirect exchange via spatially separated two-dimensional channel / I. V. Rozhansky, I. V. Krainov, N. S. Averkiev, B. A. Aronzon, A. B. Davydov, K. I. Kugel, V. Tripathi, E. Lähderanta // Applied Physics Letters. –2015. – Vol. 106, No 25. – 252402.

    7. Berry phase mechanism of the anomalous Hall effect in a disordered two-dimensional magnetic semiconductor structure / L. N. Oveshnikov, V. A. Kulbachinskii, A. B. Davydov, B. A. Aronzon, I. V. Rozhansky, N. S. Averkiev, K. I. Kugel, V. Tripathi // Scientific Reports. – 2015. – Vol. 5. – P. 17158-1–17158-9.

    8. Resonant indirect exchange in 1D semiconductor nanostructures / I. V. Rozhansky, I. V. Krainov, N. S. Averkiev, E. Lähderanta // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. – 2015. – Vol. 383. – P. 34–38.

    9. Resonant enhancement of indirect exchange interaction in semiconductor nanostructures / I. V. Rozhansky, N. S. Averkiev, I. V. Krainov, E. Lähderanta // physica status solidi (a). – 2014. – Vol. 211. – P. 1048–1054.

  2. Загороднев Игорь Витальевич, кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник лаборатории № 184 “Методов получения тонких пленок и пленочных структур” Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    01.04.10 – физика полупроводников (физико-математические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Волков, В. А. Электронные поверхностные состояния в полупроводниках и полуметаллах. Монография / В. А. Волков, В. В. Еналдиев, И. В. Загороднев. – М.: Физматкнига, 2018. – 100 с. – ISBN 978-5-89155-311-8.

    2. Resonant electron scattering by a graphene antidote / I. V. Zagorodnev, Zh. A. Devizorova, V. V. Enaldiev // Physical Review B. -2015. – Vol. 92, No 19. – P. 195413-1–195413-10.

    3. Enaldiev, V. V. Boundary conditions and surface state spectra in topological insulators / V. V. Enaldiev, I. V. Zagorodnev, V. A. Volkov // Pis’ma v ZhETF. – 2015. – Vol. 101, No 2. – P. 94–100.

    4. Transport of Massless Dirac Fermions in Non-topological Type Edge States / Yu. I. Latyshev, A. P. Orlov, V. A. Volkov, V. V. Enaldiev, I. V. Zagorodnev, O. F. Vyvenko, Yu. V. Petrov, P. Monceau // Scientific Reports. – 2014. – Vol. 4. – 7578.

Заседание диссовета при защите диссертации

Протокол заседания диссовета: 1, 20.03.2019

Члены диссертационного совета, присутствовавшие на заседании при защите диссертации:

Чупрунов Е.В., Машин А.И., Марычев М.О., Бурдов В.А., Гавриленко В.И., Демидов Е.С., Ежевский А.А., Оболенский С.В., Павлов Д.А., Салащенко Н.Н., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Чувильдеев В.Н., Шенгуров В.Г., Якимов А.В.

Заключение диссовета

История

17.12.2018 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

26.12.2018 - Диссертация принята к защите (протокол № 17)

25.03.2019 - Решение диссертационного совета по результатам защиты диссертации: присудить учёную степень кандидата наук, протокол: 1, 20.03.2019

Присвоена степень кандидата наук