Главная страница
Главная страница
Диссертационные советы
Текущая работа диссоветов
Архив
Справочная информация по вопросам научной аттестации
Ф.И.О. Скупов Антон Владимирович
Диссертация Кандидатская диссертация на тему: Моделирование ионно-лучевого легирования гетероструктур «кремний на сапфире» и облучения нейтронами гетероструктур с наноостровками Ge(Si) (4.99 Мб, загрузить)
Диссертационный совет Д 212.166.01
Научная специальность 01.04.10 - Физика полупроводников (физико-математические науки)
Дата защиты 27.11.2019
Статус Присвоена степень кандидата наук
Автореферат Загрузить
Отзывы:
  1. Елесин Вадим Владимирович, доцент кафедры электроники, и Метелкин Игорь Олегович, инженер-исследователь ЦЭПЭ Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ" - отзыв
  2. Качемцев Александр Николаевич, ведущий инженер лаборатории ХВБС Института химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН - отзыв
  3. Козлов Владимир Анатольевич, кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Института физики микроструктур РАН - филиала федерального государственного бюджетного научного учреждения "Институт прикладной физики Российской академии наук", лауреат Государственной Премии - отзыв
  4. Кревский Михаил Анатольевич, кандидат физико-математических наук, заместитель начальника НПО ТПМ АО "НПП "Салют" - отзыв
Объявление на сайте ВАК https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert/100043870
Ведущая организация Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (НИЦ «Курчатовский институт», НИЦ КИ) (отзыв)

Адрес: Россия, г. Москва, 123182, пл. Академика Курчатова, д. 1
+7(499) 196-95-39
nrcki@nrcki.ru
www.nrcki.ru

Список основных публикаций работников ведущей организации по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
1. НАНОЭЛЕКТРОНИКА И РАДИАЦИЯ / Александров П. А., Жук В.И., Литвинов В.Л. // Природа, 2015, №1 (1193), С. 14–21.
2. ПРИМЕНЕНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДЛЯ МОДИФИКАЦИИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СИСТЕМ КРЕМНИЙ-НА-САПФИРЕ, ИХ СТРУКТУРА И СВОЙСТВА / Александров П.А., Демаков К.Д., Шемардов С.Г., Белова Н.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2017. № 8. С. 5–16.
3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРА ПОД ДЕЙСТВИЕМ ОБЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ НЕЙТРОНАМИ И ГАММА-КВАНТАМИ / Петухов М. А., Рязанов А. И. // Ядерная физика и инжиниринг. 2018. Т. 9. № 3. С. 271–282.
4. ОБРАЗОВАНИЕ КЛАСТЕРОВ СПАЙКОВ В CMOS-МАТРИЦАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ПРОТОНАМИ И НЕЙТРОНАМИ / Иванов Н.А., Лобанов О.В., Пашук В.В., Прыгунов М.О., Сизова К.Г. // Письма в Журнал технической физики , 2018, №21, С. 48–54.
5. О КВАДРИРОВАНИИ ТРАНЗИСТОРОВ В НАНО- И МИКРОЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ ПРИ ИХ ОБЛУЧЕНИИ / Александров П.А., Жук В.И., Литвинов В.Л., Стельмак С.Е. // Нано- и микросистемная техника, 2018, Т. 20, № 2, С. 111–124.
6. РОСТ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СЛОЕВ AlN (AlGaN) НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА МЕТОДОМ АММИАЧНОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ / Майборода И.О., Езубченко И.С., Грищенко Ю.В., Пресняков М.Ю., Занавескин М.Л. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования , 2017, № 11, С. 31–41.
7. ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ ПЛЕНОК In05Ga05As В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ РЕЖИМЕ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs (100) И (111)A С МЕТАМОРФНЫМ БУФЕРОМ. Галиев Г.Б., Трунькин И.Н., Климов Е.А., Клочков А.Н., Васильев А.Л., Имамов Р.М., Пушкарев С.С., Мальцев П.П. Кристаллография. 2017. Т. 62. № 6. С. 956–964.
8. ТЕРАГЕРЦЕВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ GaAs СТРУКТУР НА ПОДЛОЖКАХ GaAs (100) И (111)А / Галиев Г.Б., Буряков А.М., Билык В.Р., Хусяинов Д.И., Мишина Е.Д., Климов Е.А., Клочков А.Н., Пушкарев С.С., Васильевский И.С., Грехов М.М., Трунькин И.Н., Васильев А.Л. // Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19. № 9. С. 515–526.
9. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В АЛЮМИНИИ. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРВИЧНЫХ ПОВРЕЖДЕНИЙ В КАСКАДАХ СМЕЩЕНИЙ В ОБЪЕМЕ МАТЕРИАЛА / Воскобойников Р.Е. // Физика металлов и металловедение, 2019, Т. 120, № 1, С. 3–10.

Организации, где выполнялась диссертация филиал ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр – Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Физики» «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»
Место работы филиал ФГУП «Российский Федеральный Ядерный Центр – Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Физики» «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»
Научный руководитель Оболенский Сергей Владимирович, доктор технических наук, профессор, директор научно-исследовательского радиофизического института федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» (НИРФИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского) (отзыв)
Оппоненты
  1. Бутин Валентин Иванович, доктор технических наук, профессор, начальник научно-исследовательского отделения физики излучений – начальник научно-исследовательского отдела теоретической и экспериментальной физики федерального государственного унитарного предприятия «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова» (ФГУП ВНИИА) (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    20.02.14 – вооружение и военная техника. Комплексы и системы военного назначения (технические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Применение МОП-транзисторов для оперативной дозиметрии в полях ионизирующих излучений / Бутин В.И., Бутина А.В., Чубруков Ф.В. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2015. № 4. С. 47-51.
    2. Методы учета влияния температуры окружающей среды на дрейф информативного параметра p-МОП- дозиметра / Бутин В.И., Чубруков Ф.В. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2016. № 3. С. 20-22.
    3. Диагностирование запаса стойкости КМОП- микросхем в условиях воздействия ионизирующего излучения / Бутин В.И., Чубруков Ф.В. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2018. № 2. С. 16-19.
    4. Расчетно-экспериментальная методика прогнозирования величины поглощенной дозы, приводящей к отказу КМОП микросхем в составе электронной аппаратуры, основанная на оценке уровня бессбойной работы / Бутин В.И., Чубруков Ф.В. // Технологии электромагнитной совместимости. 2018. № 3 (66). С. 14-19.
    5. Barmakov Y.N., Butin V.I., Butina A.V. Total dose measurements by p-chennel transistors of ICs // IOP Conference Series Materials Science and Engineering. – 2019. – V. 498. – №1. – Art. 012007.

  2. Земляков Валерий Евгеньевич, кандидат технических наук, ведущий научный сотрудник кафедры квантовой физики и наноэлектроники федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» (НИУ МИЭТ) (отзыв)

    Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
    05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (технические науки)

    Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:
    1. Detection of terahertz radiation by dense arrays of InGaAs transistors / Yermolaev D.M., Polushkin E.A., Shapoval S.Y., Popov V.V., Maremyanin K.V., Gavrilenko V.I., Maleev N.A., Ustinov V.M., Zemlyakov V.E., Ygorkin V.I., Bespalov V.A., Muravjov A.V., Rumyantsev S.L., Shur M.S. // International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2015, V. 24, №1-2, p. 1550002
    2. Оптимизация толщины барьерного слоя HEMT гетероструктур AlGaN/GaN для СВЧ-транзисторов с помощью численного моделирования / Тихомирово В.Г., Земляков В.Е., Цацульникова А.Ф., Волков В.В., Парнес Я.М., Янкевич В.Б. // Электроника и микроэлектроника СВЧ, 2015, Т. 2, №1, С. 184-187.
    3. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования // Тихомиров В.Г., Земляков В.Е., Волков В.В., Парнес Я.М., Вьюгин В.Н., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Цацульникова А.Ф., Черкашин Н.А., Мизеров М.Н., Устинов В.М. // Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, №2, С. 245-249
    4. Solar-blind AlXGa1–XN (x " 0.45) p–i–n photodiodes with a
    polarization-p-doped emitter / Kuznetsova N.V., Nechaev D.V., Shmidt N.M., Kaibyshev V.K., Kazantsev D.Y., Troshkov S.I., Ber B.Y., Ivanov S.V., Jmerik V.N., Karpov S.Y., Rzheutskii N.V., Lutsenko E.V., Zemlyakov V.E., Egorkin V.I. // Technical Physics Letters. 2016. Т. 42. № 6. С. 635-638.
    5. Исследование технологических процессов получения омических контактов к наногетероструктурам на основе арсенида галлия / Неженцев А.В., Земляков В.Е. Гармаш В.И., Егоркин В.И. // Электроника и микроэлектроника СВЧ, 2016, Т. 2, №1, С. 193-199
    6. Optimization of ohmic contacts to n-GaAs layers of heterobipolar nanoheterostructure / Egorkin V.I. Zemlyakov V.E., Nezhentsev, Garmash V.I. // Russian Microelectronics, 2017, V. 46, №4, С. 272-276.
    7. Interferometrically enhanced sub-terahertz picoseconds imaging utilizing a miniature collapsing-field-domain source / Vainshtein S.N., Duan G. Mikhnev V.A. Kostamovaara J.T., Zemlyakov V.E., Egorkin V.I., Kalyuzhnyy N.A., Maleev N.A. Napankangas J., Sequerios R.B. // Applied Physics Letters, 2018, V. 112, №19, p. 191104

Заседание диссовета при защите диссертации

Протокол заседания диссовета: 17, 27.11.2019

Члены диссертационного совета, присутствовавшие на заседании при защите диссертации:

Чупрунов Е.В., Машин А.И., Марычев М.О., Бурдов В.А., Гавриленко В.И., Демидов Е.С., Дорохин М.В., Ежевский А.А., Оболенский С.В., Павлов Д.А., Перевезенцев В.Н., Салащенко Н.Н., Сулейманов Е.В., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шастин В.Н., Шенгуров В.Г., Якимов А.В.

Заключение диссовета

История

10.09.2019 - Текст диссертации размещён в сети Интернет

18.09.2019 - Диссертация принята к защите (протокол № 11)

03.12.2019 - Решение диссертационного совета по результатам защиты диссертации: присудить учёную степень кандидата наук, протокол: 17, 27.11.2019

Присвоена степень кандидата наук